提高工艺水平改善内部结构,供应商极力打造下一代闪存产品 上网时间:2002年07月01日 作者::戴结民, Robert Keenan, 赵子龙 受消费电子OEM要求降低闪存工作电压的压力,以及闪存市场乐观增长前景的鼓舞,闪存供应商正将工作重点转移到采用0.13微米工艺上来,从而使工作电压降到1.8V,同时提高存储密度
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