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NEC开发出40纳米DRAM混载系统LSI混载工艺技术
上网时间:2007年12月04日

NEC电子近日完成了两种线宽40纳米的DRAM混载系统LSI工艺技术的开发，使用该工艺可以生产最大可集成256Mb DRAM的系统LSI。此次，NEC电子推出的工艺中，一种为低工作功耗的“UX8GD”工艺，它可使逻辑部分的处理速度最快达到800MHz，同时保持低功耗；另一种为低漏电流的“UX8LD”工艺，它的功耗约为内嵌同等容量SRAM的1/3左右。

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