关键字： WCDMA  高通  PA  HBT 

PA（功率放大器）是手机中除主芯片外最重要的外围器件，也是手机功耗、面积的消耗大户，特别是在3G多频段多模式的手机中，需要多块PA。高通去年对WCDMA线性PAM规范进行了新的定义，要求由原来的4X4规格变成3X3，并且能通过两个数位控制高中低三种状态的功率级，以达到最佳功效，而之前则是一个数位控制高低两个状态。3X3规格将是未来1-2年的主流尺寸。

显然，这一新的规定将导致WCDMA手机市场PA供应高格局的洗牌。目前在中国市场，安华高、RFMD与Anadigics是主要的WCMA手机PA供应商，特别是安华高，几乎通吃中国最大的两家WCDMA终端厂商份额。而作为全球第三大砷化镓厂商TriQuint虽然在CDMA、EDGE市场有不错的份额，但是WCDMA市场，他们慢了半步。不过，现在机会来了，“你不久就会看见我们在WCDMA市场的份额会有很大变化。”TriQuint中国区总经理熊挺对本刊很自信地说道。

他的自信是有理由的。相比以前在WCMA市场比竞争对手慢了半步，这次高通新发布的规范使得TriQuint与对手站在了同一起跑线上，且他们还拿出了两个杀手锏：一个是TriQuint特有的BiHEMT工艺，一个是采用了无引线封装。“通过BiHENT工艺，我们将以前的两个Die变成一个Die，降低了面积，同时提升了生产的良率；而无引线封装技术则是可以提供最好的热性能、紧密的分布、更稳定、可靠的质量。”他解释，“我们是第一个在PA上实现无引线封装的厂商，这个技术已是成熟的技术，我们之前在EDGE产品线已大量出货超过1亿片。现在，我们将之用于WCDMA后，可使得PAM具有更低的功耗与更小的尺寸，这对3G手机来说变得非常重要。”而TriQuint独有的Bi-HEMT工艺，具有三层金属结构，每平方米电阻达50ohm，同时每平方米MIM电容可达1200pF。该独特工艺由TriQuint的HBT和E/D pHEMT外延工艺组成，HBT是已由TriQuint证实的非常优秀的PA工艺，而E/D pHEMT可实现非常好的RF性能（0.7um的线宽，高电流密度和低阻抗），采用三层结构则是为了实现最高级晶体管性能。

除此之外，TriQuint在新一代的WCDMA PAM中还加入了偶合器，以实现闭环功率控制，使得PA总是在电流最优位置，从而进一步控制功耗。“以上这一系列的优势，使得我们的产品备受用户青睐，在主要手机厂商基于高通平台的新设计项目中我们已赢得不少设计订单。”熊挺透露。看来，这一次高通的新规范发布，确实为TriQuint创造了在WCDMA市场洗牌的大好机会。

目前TriQuint已推出的3×3 WCDM PAM有五款，包括TQS6011，TQS6012，TQS6014，TQS6015和TQS6018，以满足不同频段的要求。