瑞萨发布全新64Mb与32Mb先进低功耗SRAM产品系列 2008-04-15

Cypress推出新款4Mbit非易失性静态随机存储器 2007-11-01

Ramtron推出2兆位并行存储器产品FM21L16 2007-10-15

Ramtron推出4位非易失性状态保存器FM1110/2/4 2007-09-30

瑞萨开发出可实现32纳米及以上工艺片上SOI SRAM 2007-06-26

Dallas电池备份安全产品DS3641具片上非易失SRAM 2007-04-30

Ramtron推出业界首个4兆位非易失性FRAM存储器 2007-03-29

华邦推出256M大容量Pseudo SRAM，频率达133MHz 2006-10-27

智原科技内存编译器助客户降低消耗及所占面积 2006-08-11

瑞萨开发新技术，65nm嵌入式SRAM稳定运行 2006-06-21

赛普拉斯推出无需电池、小封装的非易失性SRAM 2006-05-29

赛普拉斯推出首款QDRII+/DDRII+ SRAM器件，带宽翻倍 2006-04-18

TI携手MIT与DARPA，打造400mV低电压65纳米SRAM 2006-02-13

Mintech新款异步SRAM可升级到2Mb 2006-01-25

美光面向低端手机推出新型低成本PSRAM 2005-12-01

Dallas新型非易失性SRAM模块内置实时时钟 2005-11-21

三星推出256Mb Pseudo SRAM，用于3G手机 2005-09-14

3D Plus的16Mb SRAM具有优良的辐射指标 2005-08-23

ST推出24款工业标准监控器芯片，供货周期为四周 2005-01-11

NEC推出适用于手机的128Mb存储器 2004-11-16

ISSI推出新型400MHz超数据率同步SRAM系列产品 2004-10-12

ISSI面向移动和电池供电应用推出超低功率高速异步SRAM 2004-07-20

瑞萨科技推出可防软误码的SRAM单元 2004-06-24

Renesas推出18Mb和36Mb QDR II SRAM 2004-01-06

迅慧科技推出超低工作电流的双端口SRAM 2003-11-07

瑞萨科技推出表面积32mm2的SRAM 2003-09-29

WEDC的SSRAM可帮助OEM设计人员减少有源存储器件数 2003-09-17

瑞萨科技推出18Mb和36Mb的QDR II系列SRAM 2003-09-11

赛普拉斯半导体新推高密度72Mb NoBL同步SRAM样品 2003-07-25

ISSI推出访问时间为20ns的异步SRAM 2003-05-14

Etron的PSRAM静态耗流45mA 2003-03-28

东芝推出128Mb伪SRAM 2003-02-06

ISSI推出车用DRAM和SRAM 2002-11-22

ICSI MCP集成了NOR闪存及SRAM 2002-11-12

WEDC推出72Mb NoBL SSRAM 2002-11-04

矽成公司推出用于便携通讯市场的MCP系列内存芯片 2002-10-30

ISSI的推出低功耗SRAM 2002-10-22

ICSI推出250MHz SSRAM 2002-09-26

ICSI的ASRAM采用BGA和STSOP-1封装 2002-09-04

Enhanced Memory推出72Mb NoBL ESRAM 2002-08-30

Cypress推出速度最快的16Mb异步SRAM样品 2002-08-13

ISSI异步SRAM适用于下一代便携产品 2002-07-31

SST推出集成16M闪存和8M SRAM的复合存储器 2002-06-03

日立公司为网络产品推出ZBL SRAM 2002-04-19

Cypress推出18Mb Sync SRAM系列产品 2002-04-12

NanoAmp推出新型高密度SRAM内存器件 2002-03-26

Dallas推出无需占据内存空间的SRAM时钟芯片 2002-02-28

ICSI推出待机电流为2μA的4M SRAM 2002-01-25

三星开发出低耗电量SRAM 2002-01-16

Hynix推出适用于移动电话的Pseudo SRAM 2001-12-18

2008年4月12-15日 香港亚洲国际博览馆

电子采购交易现场图文报道  一  二  三

2008年第二届电子供应峰会深圳和上海两站受到取得圆满成功！欢迎进入专题查看峰会详情，为方便大家，您还可以免费下载发言嘉宾演讲资料！>>