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2008年01月08日
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DRAM销售额预测有误，SIA大幅修正IC产业预测
美国半导体产业协会(SIA)修正了对2007年全球半导体销售额的预测。数据反映了2007年1-9月DRAM销售额向上修正的情况，这项修正是全球半导体贸易统计组织(WSTS)作出的。
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2008年01月04日
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DRAM总产值呈W底整理 蕴酿反弹契机
DXI(DRAMeXchange Index)DRAM总产值综合指数，在07年11月28日落底，领先DRAM相关股价出现止跌反弹向上。DXI在半年来首次出现W底，DRAM总产值处于已于去年十二月底呈现波段跌势的末期，换言之DRAM整体营收于去年12月落底。
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2007年12月20日
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台系DRAM厂实施岁修 有助08年第一季价格反弹
上周(12/10-12/17)现货市场仍受市场需求不佳的影响，DDR2 512Mb eTT价格小幅下滑至0.78美元，跌幅1.2%，DDR2 1Gb eTT颗粒收在1.70美元，跌幅约7.1%。
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2007年12月14日
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遏止DRAM价格续跌 大厂减产是解决之道
集邦科技(DRAMeXchange)发表最新DRAM市场研究报告指出，上周(12/3-12/10)现货市场呈现近期少见的震荡格局，DDR2 512Mb eTT颗粒价格曾一度突破0.9美元，最后收在0.79美元，跌幅2.4%；而DDR2 1Gb eTT颗粒也曾强势上涨至1.92美元，最后收在1.83美元，涨幅10.9%。
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2007年12月07日
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DRAM与微处理器价格战持续 消费者受益匪浅
美国半导体产业协会(SIA)总裁George Scalise日前表示，DRAM和微处理器价格在2007年不断下滑，对于销售设备的厂商和购买消费电子产品的大众来说都是好事。
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2007年12月06日
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DRAM市场基础继续恶化 预计08年资本开支下滑超过30%
Friedman Billings Ramsey & Co. Inc.(FBR)分析师Mehdi Hosseini日前表示，“根据三星日前的报告，我们分析2008年上半年DRAM内存市场基础继续恶化，大多数DRAM供应商，尤其韩国之外的厂商2008年资本开支出现大幅削减。”
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2007年12月04日
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NEC开发出40纳米DRAM混载系统LSI混载工艺技术
NEC电子近日完成了两种线宽40纳米的DRAM混载系统LSI工艺技术的开发，使用该工艺可以生产最大可集成256Mb DRAM的系统LSI。此次，NEC电子推出的工艺中，一种为低工作功耗的“UX8GD”工艺，它可使逻辑部分的处理速度最快达到800MHz，同时保持低功耗；另一种为低漏电流的“UX8LD”工艺，它的功耗约为内嵌同等容量SRAM的1/3左右。
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2007年11月28日
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2007年上半年DRAM模块市场晴雨表 金士顿仍是霸主
2007年上半年金士顿巩固了自己在全球品牌第三方DRAM模块市场中的领先地位，但同期增长最快的则是规模较小的创见与记忆科技。台湾创见DRAM模块销售收入比2006年同期大增77.3%，在所有的供应商中增长率最高。记忆科技增长率排在第二，其DRAM模块销售收入增长50.1%。
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2007年11月28日
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供应过剩 NAND及DRAM行情短期进一步恶化
美国iSuppli调研结果显示，由于供应过剩与价格暴跌，DRAM及NAND闪存行情将在短期内进一步恶化。
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2007年11月26日
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Hynix新款1Gb GDDR5绘图DRAM面向高清图像应用
海力士半导体(Hynix Semiconductor Inc.,)宣布推出1Gb GDDR5绘图DRAM，工作带宽为5Gbps，32位I/O通道，数据处理数率高达20GB/s，非常适合于高清视频、图像处理应用。
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2007年11月26日
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海力士第三季度表现亮眼 成DRAM市场明星
韩国海力士半导体(Hynix)是第三季度全球DRAM产业中的明星厂商，增长速度超过其它主要供应商，并缩小了与头号DRAM厂商三星电子之间的市场份额差距。
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2007年11月14日
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价格较第二季走稳 Q3全球DRAM厂商销售增长3.6%
根据集邦科技(DRAMeXchange)调查，2007年第三季全球DRAM品牌厂商销售额较第二季增长3.6%。主要来自第三季的位增长率9%，而DRAM ASP涨跌幅度依各家产品组合不同而异。第三季DDR2合约价呈微幅上涨，但现货价则下跌约9%。
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2007年11月01日
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DRAM价格持续下滑 中芯国际第三季净亏2,560万美元
日前，晶圆代工厂中芯国际(SMIC)发布了2007年第3季度财报。由于DRAM市场价格严重下滑，该公司第3季度净亏损扩大至2,560万美元。
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2007年10月25日
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DRAM十月下旬合约价持续下跌 eTT现货价急涨12%
上周(10/15-10/22)现货市场eTT颗粒呈现近几周少见的急涨局面，DDR2 512Mb eTT价格收在1.17美元，涨幅约11.9%；相比之下，品牌颗粒仍呈现平稳走势，上涨至1.37美元，幅度为1.4%。
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2007年10月25日
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联电与尔必达合作研发低k铜导线DRAM及PRAM内存
为了继续扩大晶圆代工伙伴关系，日本尔必达(Elpida)将与台湾地区的晶圆代工厂商联电(UMC)进行合作，共同研发低k铜导线DRAM与相变随机存取内存(PRAM)。
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2007年10月22日
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DRAM产能超出OEM需求 市场前景尚不明朗
DRAM产能显然超出了OEM的需求。但这是否意味着2007年下半年将面临严重的产能过剩局面？根据目前的市场形势，这个问题不太好回答。
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2007年10月19日
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DRAM现货市场持续走弱 合约市场交易冷清
现货市场DDR2价格方面持续走弱；而DDR则因供应不足价格缓步盘坚。DDR2 512Mb eTT跌至1美元左右的新低价之后，暂时止跌并微幅反弹，在1.02至1.05美元震荡，以1.03美元做收，跌幅为5.5%；DDR2 512Mb 667MHz则滑落至1.35美元，下跌2.9%。
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2007年10月18日
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DRAM市场9月底触及新低 反弹希望渺茫
据美国的独立分销商Converge，继价格在9月底触及新低之后，DRAM市场没有显露任何反弹迹象。该分销商表示，现货市场供应充足，但买家寥寥，尽管价格已远低于直接价格(direct pricing)。
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2007年10月12日
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晶圆厂陆续上线 08年闪存产能将超DRAM内存
研究公司Strategic Marketing Associates(SMA)日前表示，闪存产能将在2008年首次超过DRAM内存。预计2008年和2009年，将有另外超过十座晶圆厂上线。SMA预计，当设备装机完成时，将带来每月相当于150万片200毫米硅晶圆的产能。
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2007年09月29日
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供应商提高产量 DRAM市场预计今年增长2.5%
据市场调研公司iSuppli，由于产能过剩，预计2007年DRAM市场仅增长2.5%。iSuppli表示，今年上半年DRAM供应商快速提高产量，2007年以位(bit)计算的出货量将增长94%。而该产业的平均年增长率是55-60%。
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市场供应
技术前沿
2008年第二届电子供应峰会深圳和上海两站受到取得圆满成功！欢迎进入专题查看峰会详情，为方便大家，您还可以
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