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2007年09月28日
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集邦：DRAM现货价格有小幅反弹机会
观察现货市场，虽然在中国十一长假前，新兴市场有需求出笼，但是价格却没有明显落底迹象，在部分模块厂及分销商不堪亏损而将库存停损的情况下，DDR2 eTT价格最低跌到1.15美元，幅度约12%；而品牌颗粒价格也降到1.48美元左右，跌幅约4%。
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2007年09月24日
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集邦：9月下旬DRAM合约价格预计下滑10%
DRAM现货市场需求不佳，整体报价呈现下跌的情形。DDR2 512Mb 667MHz下跌幅度达7.8%，价格下跌至1.54美元。其余颗粒报价皆呈现微幅下跌，DDR2 eTT下跌至1.31美元。
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2007年09月14日
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三星宣称率先推出60纳米制程DRAM 性能表现提高20%
三星电子日前宣布，该公司已经开发出业界首款“60纳米级别”2GB容量DDR2 DRAM。与80纳米制程的2Gb容量DDR2相比，“60纳米级别”内存运行速度为每秒800兆位，将DRAM的性能表现提高了20%。
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2007年09月11日
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意法推出最新的DRAM内存模块标准专用温度传感器
意法半导体(ST)日前推出两款高精度专用数字温度传感器芯片，新产品完全符合个人计算机双列直插内存模块(DIMM)的温度监测标准JEDEC JC42.4的规定。
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2007年08月30日
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LCD面板供应短缺殃及池鱼 DRAM价格下滑提早到今年9月
iSuppli表示，9月份DRAM价格下跌意味着第4季度价格将进一步下滑。iSuppli表示，供应商和分销商继续清理DRAM库存，DRAM现货市场的销售势头正显现警示。由于LCD面板供应短缺带来价格增长，已经出现削减PC中内存的预算的情况。
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2007年08月23日
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DRAM市场重现谨慎乐观气氛 下半年将出现反弹
2001年DRAM市场价格崩溃以来，经历了市场恶化最严重的半年后，2007年下半年DRAM市场开始重现谨慎乐观气氛，预计2007年下半年销售价格将一路走高。
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2007年08月20日
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台积电利用90nm嵌入式DRAM工艺为Xbox360代工图形子系统
台积电(TSMC)宣布公司已开始利用90nm嵌入式DRAM工艺生产Microsoft Corp.(微软)Xbox 360的图形存储子系统。
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2007年08月17日
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集邦：厂商释出库存 DRAM现货市场价格下跌
根据集邦科技所发表的最新内存市场报告指出，上周DRAM现货报价受到三星停电事件影响而短暂走高，但后续追价力道不强，使得部份库存较多的分销商反手杀出手中的库存。集邦表示，DDR2 eTT报价在上周五(10号)再度跌破2美元关卡到1.93美元。
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2007年08月15日
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海力士DRAM产品获ISi的Z-RAM存储技术授权
Z-RAM高密度存储知识产权开发商Innovative Silicon Inc与海力士半导体有限公司近日宣布：海力士已经同意在其动态随机存储器芯片中采用ISi的Z-RAM技术。
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2007年08月03日
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集邦科技公布2007年第二季DRAM厂商排名TOP10
内存市场研究机构集邦科技(DRAMeXchange)日前发表第二季DRAM厂销售额排名调查，该机构指出，2007年第二季全球DRAM品牌厂商销售额较去年第一季下滑24.4%。此外，与一季度相比DDR2 512Mb价格大幅下跌了40%以上，受此影响，2007年第二季全球DRAM产业的产值大幅下降。
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2007年07月18日
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奇梦达512Mbit低功耗DRAM样品面世 剑指移动应用市场
存储产品供应商奇梦达公司日前宣布开始提供全新的75纳米工艺512Mbit低功耗DRAM样品。Mobile RAM产品是一种超低功耗的DRAM，与同等密度的标准DRAM相比，功耗低80%，主要用于智能手机和多功能手机、便携式GPS设备、数码相机和MP3播放器等移动产品。
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2007年06月20日
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记忆科技、勤茂DRAM模块市场销量迅猛增长
市场调研机构iSuppli日前表示，2006年DRAM模块市场的亮点是内存供应商记忆科技(Ramaxel Technology)和勤茂科技(TwinMOS Technologies)的产品销量迅猛增长，增长率分别达到85%和127%。
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2007年06月15日
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价格战驱动DRAM价格一路走低 便携应用促闪存销售加速增长
三星和海力士(Hynix)在DRAM市场的残酷价格战是最近一个季度价格下降的主要成因之一。与512Mb相当的DRAM的平均售价下降到了2.96美元。价格战和产能过剩将使今年整个内存销售额下降11.1%。
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2007年06月01日
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海力士一季度表现骄人 DRAM市场出货量排名首次跃居第一
海力士半导体第一季度在DRAM市场取得惊人业绩，三星面临失去DRAM市场桂冠的危险。2007年一季度韩国海力士半导体DRAM销售额为22亿美元，比2006年第四季度增长4.1%。
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2007年05月31日
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韩国内存厂商面临挑战 2010年恐失去DRAM霸主地位
iSuppli警告说，长期占据全球DRAM内存工业统治地位的韩国公司，其出货领先地位在未来三年中面临动摇的危险。iSuppli的CEO在汉城数字论坛上表示，现在韩国的DRAM内存工业仍在全球居于领先地位，主要厂商三星和海力士占据了全球45%的DRAM内存收入，与之相比，中国内地和台湾地区占有17%的份额。
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2007年05月22日
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NOR闪存巨头Spansion抛出“DRAM竞争论”
Spansion计划把它专有的MirrorBit技术定位成DRAM的竞争者，开辟高端手机、PDA和通讯手机市场。Spansion目前只供应NOR闪存，由于激烈竞争和价格压力，已经在10个季度中没有盈利。
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2007年05月15日
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Gartner：5月份DRAM内存芯片价格持续下跌
根据市场研究机构Gartner公司的报告，各种规格的DRAM芯片现货价格继续崩盘，延续了之前的颓势。Gartner表示，2007年5月上半月合同谈判价格瞄准1.80美元。
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2007年05月14日
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沛顿科技封测项目全面启动 将成华南最大DRAM芯片封测厂
沛顿科技(深圳)有限公司封装测试项目落成典礼于日前在深圳举行，深圳市市长许宗衡出席了此次活动并为典礼剪彩。据介绍，该项目量产后预计月产能达到1,000万颗，从而使沛顿科技成为华南地区最大的DRAM芯片封装测试厂。
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2007年05月08日
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FormFactor发表DRAM晶圆探针卡PH150XP
FormFactor发表PH150XP晶圆探针卡，扩展其PH150系列DRAM晶圆测试产品的阵容。PH150XP探针卡提供多项良率与处理量提升的功能，让DRAM制造商能进一步降低整体测试成本。PH150XP探针卡样本已开始供应予各大内存领导制造商进行评估测试。
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2007年05月08日
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海力士威胁三星龙头地位 DRAM市场份额战一触即发
据市场调研公司Gartner Dataquest，韩国三星在DRAM市场的份额领先程度已降至七年最低点，为应对这种局面，今年该公司把产量扩大了近100%。Gartner Dataquest的半导体业务副总裁Andrew Norwood警告，此举可能使产业的供过于求形势维持一年之久。
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市场供应
技术前沿
2008年第二届电子供应峰会深圳和上海两站受到取得圆满成功！欢迎进入专题查看峰会详情，为方便大家，您还可以
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