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2007年01月05日
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DRAM价格操纵案逐渐明了，三星半导体总裁面临牢狱之灾
日前，三星半导体公司总裁已承认有罪，他将在监狱中呆10个月，并支付250,000美元罚款。三星半导体是韩国三星电子旗下美国分公司，这是美国司法部调查2001年和2002年DRAM价格操纵案的最新进展。
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2006年12月30日
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尔必达量产70纳米DRAM，512MB DDR2封装称全球最小
日本存储器厂商尔必达(Elpida Memory)近日表示，已开始采用70纳米制程技术量产容量为1GB和512MB的DDR2 SDRAM。该公司是NEC和日立的合资企业。尔必达宣称其512MB容量的新产品将是全球最小尺寸的512MB DDR2存储器。
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2006年12月21日
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NAND闪存热销不再，DRAM现货价格走势稳中带软
现货市场DRAM走势疲软，DRAMeXchange DRAM产值指数(DXI)由4651上涨至4652。合约市场部分，部分PC OEM厂因终端需求销售状况超出预期，将持续供货至月底，因此对于DRAM需求仍有一定支撑力道。
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2006年12月19日
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Vista效应升温，台湾地区DRAM制造商掀起扩张高潮
台湾地区目前拥有多家处于全球第二梯队的DRAM供应商，这些厂商相信2007年将是内存市场发展强劲的一年。iSuppli公司相信，台湾厂商乐观因素主要来自微软新推出的Windows Vista操作系统。然而这些台湾地区的DRAM供应商可能要为盲目扩张付出代价……
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2006年12月18日
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DRAM市场08年将达顶峰，衰退迹象07年开始显露
市场调研机构Gartner表示DRAM市场几年内将达到顶峰，但风向将在2007年开始发生转变。DRAM芯片制造商必须尽快的提高DRAM和NAND产品之间产能转换的能力，如果不具备这一能力，未来将会处于非常被动的局面。
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2006年12月11日
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力晶尔必达合资,全球最大DRAM制造基地落脚台湾
力晶半导体与日商尔必达(Elpida)12月7日共同宣布，将在台湾中部科学园区设立单月总产能可达24万片的全球最大12寸晶圆厂区；力晶与尔必达联盟将可整合台湾与日本的产业优势，携手争取DRAM市场世界第一的王座。
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2006年12月07日
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DRAM市场价格稳定，力晶、茂德营收又创新高
台湾内存大厂力晶(PSC)与茂德(ProMOS)日前分别发表最新营收报告，两家公司皆表示十一月营收创新高纪录。力晶成长主力来自12吋晶圆厂与90奈米制程良率稳定，茂德营收表现同样得力于90奈米产能稳定成长。
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2006年11月23日
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第三季DRAM排名：奇梦达摘得榜眼，美光地位岌岌可危
在iSuppli日前公布的2006年第3季度全球DRAM厂商排名中，奇梦达(Qimonda)名列第二。美光公司排在第4，市场份额比第3季度再次下降，与排第5的Elpida Memory Inc在市场份额方面仅有0.4%差距。
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2006年11月22日
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Elpida前高管认罪，承认参与共谋垄断DRAM价格
美国司法部日前表示，在其正在调查的DRAM价格垄断案中，日本Elpida公司的前高管已承认有罪。Elpida的前内存业务副总裁D. James Sogas同意因参与全球共谋操纵入狱服刑六个月和缴纳25万美元罚金。
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2006年11月14日
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金士顿在深圳投资DRAM封装项目，大幅提高封测产能
内存制造企业美国金士顿科技公司日前宣布在大陆投资DRAM芯片封装项目，建成当年将月产wBGA芯片1000余万颗。同时金士顿还计划扩大DRAM芯片测试产能，以期在明年初达到月均测试产量2300万颗的水平。
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2006年10月27日
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DRAM市场正向90纳米过渡，交货期延长延续至11月
市场调研公司DRAMeXchange表示，目前DRAM市场向90纳米工艺过渡，可能对供应构成压力，而且这种情况可能持续到11月份。虽然上周现货市场的DRAM交易量趋于下降，导致DDR2价格进一步下滑，但这种局面可能很快发生变化。
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2006年10月23日
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三名厂商高管再次被控卷入DRAM价格操纵案
美国司法部近日表示，又有三位DRAM厂商的高管被指控在2001-2002年期间卷入DRAM价格操纵案。其中有两位是三星电子的韩国公民，另一位是海力士(Hynix)旗下美国子公司的美国公民。到目前为止，一共有16人被控参与了与DRAM价格操纵共谋有关的刑事犯罪，此前遭到指控的13人已经认罪，并被判入狱服刑和缴纳罚金。
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2006年10月20日
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华邦推出256Mb低功率DRAM，符合JEDEC标准
华邦电子针对移动设备应用特性，推出一系列低功率动态内存，并在eMEX 2006中展出。其中包括一款容量256Mb的低功率DRAM，W988D6E/W988D2E。其目标市场包括：低端智能手机、中高端数字照相机、全球定位系统(GPS)、MP3播放器、PDA等。有别于Pseudo SRAM无统一标准，华邦电子该系列DRAM遵循JEDEC标准。
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2006年09月26日
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四家厂商13位高管“低头”认罪，DRAM价格操纵案调查进入高潮
在过去至少长达三年的时间内，美国一直在调查1999-2003年DRAM制造商的价格操纵问题。迄今已有四家厂商和13人被起诉，罚金总额超过7.31亿美元。目前，三星旗下美国公司高管低头认罪，同样将入狱服刑。
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2006年09月21日
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奇梦达携手南亚，已获75纳米DRAM技术验证
奇梦达(Qimonda)和南亚科技(Nanya)宣布已成功获得75纳米DRAM沟槽式(Trench)技术的验证，最小之制程尺寸为70纳米, 第一个75纳米之产品将为512Mb DDR2内存芯片。此项新的技术平台和产品是双方共同在德国德累斯顿(Dresden)和慕尼黑(Munich)的奇梦达开发中心所开发的。
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2006年09月14日
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DRAM制造上演纳米级竞赛，奇梦达欲借58nm突破密度极限
目前，生产DRAM内存具有实用价值的最先进工艺为70纳米至80纳米范围。三星电子宣称，已经开始在2006年8月使用80纳米工艺批量生产1GB容量DRAM内存。Qimonda的研究人员预计12月的演讲会上将展示完整的58纳米过程技术，他们曾经用于制造512Mb容量DRAM，工作电压为1.2V和1.35V之间，存取时间支持每通道数据率3.2Gbps。
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2006年09月08日
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DRAM库存创下新低，三星转移产能以解燃眉之急？
8月份全球电子行业供应链中DRAM库存周期仅1.92周。这也是自2005年1月以来DRAM库存的最低水平。iSuppli日前发出警示，虽然DRAM产业现在有很多积极因素。但三星电子如此大举增加其DRAM产能，可能会使该市场强劲的价格环境出现逆转。
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2006年09月04日
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华邦获奇梦达80纳米DRAM技术，抢占利基市场
奇梦达(Qimonda)与华邦(Windbond)电子宣布，双方已就80纳米DRAM制程技术移转，以及12寸厂DRAM产能合作签署协议。依据新签订的协议，奇梦达将把该公司80纳米DRAM沟槽式技术(trench technology)，移转予华邦位于台中中科的12寸晶圆厂使用，而华邦则将以该技术提供奇梦达计算机应用方面的DRAM产能。
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2006年08月21日
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8月8日-16日DRAM与NAND价格走势分析，未来2周值得关注
根据DRAMeXchange的调查报告，DRAM的需求在8月8日到8月16日期间表现仍稳健强劲，DDR2的需求持续增温，价格甚至微幅上扬。此外，NAND Flash现货市场各类型产品价格渐趋稳定。未来一至二周将是值得密切观察的时期，因为Apple是否会向Samsung和Hynix大量取货？以及取货的数量有多少？都足以影响后续整体NAND Flash现货市场价格的表现。
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2006年08月03日
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看第二季度全球DRAM厂商排名，供给吃紧价格上扬
根据内存市场研究机构DRAMeXchange最新出炉的报告，2006年第二季全球DRAM销售额较第一季成长15.5%。主要原因来自于台湾地区的厂商产能持续开出以及第二季DDR与DDR2供给吃紧带动整体平均售价上扬。
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市场供应
技术前沿
2008年第二届电子供应峰会深圳和上海两站受到取得圆满成功！欢迎进入专题查看峰会详情，为方便大家，您还可以
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