|
2006年07月27日
|
|
Q1全球DRAM内存销售达49.2亿美元，台湾地区稳坐出货大户
来自存储市场研究机构DRAMeXchange的最新研究数据，2006年第一季度全球DRAM内存条实际销售额为49.2亿美元。除掉DRAM原厂直接提供PC OEM的内存条出货，其中经由内存条厂商出货至零售市场及PC OEM的销售额为25.5亿美元。
|
|
2006年07月25日
|
|
iSuppli重估近期DRAM与NAND闪存市场，局面维持“中性”
随着DRAM的价格和需求走好，市场调研公司iSuppli重新评估了近期DRAM的国际市场环境，将2006年4月以来维持的“负面”等级上调到“中性”。而看NAND闪存市场，目前疲弱的市场状况会有显著改变，因为苹果和索尼正开始大量生产为假日市场供应的MP3播放器，这两家公司新一代产品的问世时间将决定闪存市场的未来。
|
|
2006年07月10日
|
|
良率提高，众DRAM内存厂商纷入“70纳米时代”
日前，众DRAM内存厂商纷纷买入70纳米制造工艺。包括奇梦达、华亚、茂德等厂商。这些公司大多具有12英寸厂经验，且90纳米工艺良率表现不错，可快速导入最新的70纳米工艺技术。
|
|
2006年07月05日
|
|
6月20日-26日DRAM与NAND价格走势分析
来自存储器市场研究机构DRAMeXchange的分析，6月20日-26日期间，现货市场方面，DRAM价格并无明显变化，大致上还是维持在平盘水平，DXI指数由上周3324小幅反弹至3344。DDR部分，DDR 256Mb (32Mb*8) 400MHz以及DDR 512Mb (64Mb*8) 400MHz价格与上一周持平。
|
|
2006年06月22日
|
|
6月13日-20日DRAM与NAND价格走势分析
DRAM和NAND市场研究机构DRAMeXchange日前分析，因英特尔CPU将降价导致需求推迟，6月下旬DRAM价格将下跌。上周NAND闪存现货市场买气平淡，Hynix的MLC产品现货价格普偏持稳，买家都在观望Samsung的现货价格能否持续下调。
|
|
2006年05月24日
|
|
瑞萨授权南亚，长久DRAM专利之争终见和解
瑞萨科技(Renesas Technology)与南亚科技(Nanya Technology)日前宣布，双方已达成一项交换使用对方专利产品权的协议，同时还达成了对由瑞萨提起的南亚DRAM产品涉嫌侵犯专利的4个未决诉讼的和解协议。双方达成的交换使用对方专利产品权协议的特殊条款和条件包括交换专利授权和机密的金融条款。
|
|
2006年05月17日
|
|
DRAM价格操纵案最新进展:三星、海力士和英飞凌将共被罚1.6亿美金
据案件律师透露，三星电子、海力士和英飞凌同意支付总额1.6亿美元的罚金，以解决针对操纵DRAM价格的共同指控。
|
|
2006年05月12日
|
|
Rambus胜出之后，众多亚洲DRAM厂商面临诉讼危机
在与Hynix公司的专利侵案胜诉之后，Rambus公司再次给亚洲DRAM和存储控制器制造商敲响警钟，该公司希望与亚洲厂商签署一系列存储专利技术的许可协议。迄今为止，占据全球大约20% DRAM出货量的台湾地区厂商尚未见到任何受到侵权控告的征兆。南亚科技高级副总裁Pai Pei-lin表示：“我们一贯尊重IP专利权，但是我们也希望公平贸易。”
|
|
2006年05月09日
|
|
英飞凌跻身全球DRAM市场第二，Q1喜获19%营收环比增长
日前，英飞凌以微弱优势打败竞争对手，在第一季度全球DRAM销售额排名中首次上升至第二位，获得11.6亿美元的DRAM销售额，与去年同期的7.78以美元相比增长49%。由此，英飞凌击败其竞争对手美光和海力士而跻身排名第二位。
|
|
2006年04月26日
|
|
DRAM专利之争硝烟也弥漫，Rambus将获Hynix赔偿3亿美元
在Rambus公司与韩国芯片厂商海力士半导体(Hynix Semiconductor)之间的专利侵权案中，美国联邦联审团日前裁定前者将获得逾3.069亿美元的赔偿。Rambus在审判期间曾要求Hynix赔偿1.085亿美元至8.68亿美元的损失。Rambus还要求法院发出永久禁止令，命令停止生产、使用或进口侵权的Hynix内存产品。这项命令可能在审判的第三阶段之后发出，Hynix将在该阶段可争辩Rambus的专利无效。
|
|
2006年04月19日
|
|
Elpida新款512M XDR DRAM数据速率可达8GBps
Elpida推出512Mbit XDR DRAM样品。这些DRAM的数据速率为4GHz，在单个产品中的数据传输速率可达8GBps，适用于各种数码消费产品，如需要高带宽的高清晰度电视、游戏机和家庭娱乐设备，它支持三维图像、卓越的数字影像和高级多媒体。XDR DRAM采用Rambus公司开发的XDR存储器接口架构。
|
|
2006年04月18日
|
|
库存过剩导致NAND价格下降，DRAM供应紧缺
市场研究机构Gartner Dataquest日前发布报告，称最近DRAM和NAND闪存价格走势相反，市场需求不旺。
|
|
2006年03月30日
|
|
iSuppli：DRAM市场抬头，NAND增长放缓走势依然乐观
市场调研公司iSuppli日前发布了对2006年存储市场的最新预计，降低NAND闪存市场的增长预测的同时，抬高了对DRAM市场的预测。不久前NAND闪存市场还非常火热，而DRAM市场相比之下黯然失色。iSuppli最新预计，2006年NAND闪存市场增长速度将慢于预期，而DRAM市场则显露非常强劲的势头，预计这两个领域2006年合计增长近13%。
|
|
2006年03月28日
|
|
需求停滞，DRAM与NAND Flash市况低迷面临考验
DRAMeXchange针对DRAM与NAND Flash存储器市场发布的最新分析报告指出，根据该机构所调查的3月下旬合同价，DRAM厂没有进一步提高价格，不论DDR模块或DDR2模块都大致以持平成交。而由于厂商产能持续增长但市场需求低迷，NAND Flash产业正经历着本年度最大幅度的单月价格幅度下滑。
|
|
2006年03月24日
|
|
DRAM反垄断调查“正在进行式”，三星高管面临牢狱之灾
美国司法部日前表示，三星电子(Samsung Electronics)的三名高管已同意认罪，并会在美国入狱。他们被控共谋操控全球DRAM价格。这三名高管分别是三星DRAM销售资深经理Sun Woo Lee、三星美国子公司DRAM营销副主管Yeongho Kang、三星德国子公司销售主管Young Woo Lee，这三人均同意每人服刑八个月，并缴纳25万美元的罚金。他们还同意配合美国司法部对DRAM产业正在进行的调查。
|
|
2006年03月21日
|
|
锁定各式消费性应用，钰创推出系列x32 DRAM
看好数字家庭以及可携式多媒体产品的成长潜力，钰创科技(Etron Technology)推出一系列x32新产品，包括4Mbx32 DDR、4Mbx32 SDR，以及2Mbx32 1.8V SDR，并称能以更低功耗、更高频宽的特性，降低客户产品成本与设计复杂度。
|
|
2006年03月17日
|
|
英飞凌不甘NAND“追随者”，誓作DRAM龙头
许多内存厂商都在加紧扩大NAND闪存业务，德国英飞凌却在这一领域表现落后，很可能错失这一市场机会。“我们认为自己是DRAM领域中的领先者，”英飞凌内存产品业务副总裁Bernd Lienhard表示，“而在NAND市场，我们是追随者，我们处于追赶状态。我们的焦点放在DRAM、DRAM, 还是DRAM。”Lienhard在采访中如此表达，“今年，我们誓在成为全球最好的DRAM供应商。”
|
|
2006年03月07日
|
|
供货持续短缺，DRAM内存厂商拟再度调高DDR2价格
据DRAMeXchange公布的一份报告，预计当前DDR2 SDRAM短缺的局面会持续到3月末，而且供应商打算进一步提高这些产品的合同价格。DRAMeXchange表示，3月上旬DDR2 SDRAM的合同价格预计至少比2月下旬上涨5-10%，而DDR SDRAM的价格则将趋于平稳。
|
|
2006年03月01日
|
|
供应商抵抗DRAM价格下滑，消费电子推动NAND闪存市场
由于DRAM价格已从2005年第四季度的低点反弹，我们已将近期内相对于供应商的内存形势评级从“负面”提高到“中性”。但是，如果现在就宣称DRAM市场已出现根本性复苏还为时过早。
|
|
2006年02月10日
|
|
预计2006年NAND闪存乐观增长，库存过多面临DRAM挑战
据Gartner Dataquest乐观预测，2006年NAND闪存市场规模将达162亿美元，比2005年增长42%。出货量将比上年劲增186%，而价格预计下跌50.3%。同时预计2006年的头3个季度将出现轻微的供过于求。并且，由于持续供应过度、严重价格侵蚀、无法抵抗的需求成熟度以及收缩的价格弹性等因素，2007年NAND市场将面临来自DRAM市场的挑战。
|
市场供应
技术前沿
2008年第二届电子供应峰会深圳和上海两站受到取得圆满成功！欢迎进入专题查看峰会详情，为方便大家，您还可以
.gif){kind=spacer}
|
意见反馈 |
网站导航 |
帮助 |
关于我们 |
联系我们 |
使用条款 |
隐私政策 |
安全承诺|
网址推荐