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2008年11月20日
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Vishay推出新型超薄ESD保护阵列VBUS053AZ-HAF
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新型超薄ESD保护阵列VBUS053AZ-HAF，该器件具有低电容和低漏电流，可保护USB-OTG端口免受瞬态电压信号损坏。新器件在工作电压为5.5V时提供三线USB ESD保护，在工作电压为12V时提供单线VBUS保护。
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2008年11月03日
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艾为双SIM卡控制芯片AW6302具备±8KV ESD保护能力
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上海艾为电子技术有限公司(AWINIC)推出AW6302，一款双卡双待的专用IC,非常关注ESD方面的可靠性。在封装品质方面，AW6302达到了JEDEC标准中最高的MSL-1等级，可以有效的避免芯片拆包后吸收水气所可能引起的“爆米花”现象。
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2008年10月13日
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爱普科斯CeraDiodes为高速数据线提供ESD保护
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爱普科斯现可提供0402和0603尺寸的CeraDiodes，其特点是标准值为0.6pF的极低的电容值。因此，该类产品适合于高速数据线的ESD保护，如USB、以太网、Firewire、eSATA和HDMI。
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2008年09月27日
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安森美推出低电容ESD保护产品NUP4016和ESD11L5.0D
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安森美推出低电容静电放电(ESD)保护产品线的两款新产品NUP4016和ESD11L5.0D。这些新产品采用安森美集成ESD保护平台，增强钳位性能，并维持超低电容和极小裸片尺寸。新器件的超小型封装厚度比此前版本封装低20%，是需要在超薄封装中提供优异保护性能的手机、MP3播放器、平板显示器和其它高速通信等便携应用的极佳保护器件。
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2008年09月12日
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Vishay推出最新小型4线ESD保护阵列VBUS054CV-HS3
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Vishay推出最新小型 4 线 ESD 保护阵列VBUS054CV-HS3，该器件可在高浪涌电流情况下提供低电容，以保护两个高速 USB 端口或四个其它高频信号线，以免它们受到瞬态电压信号的损坏。
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2008年07月07日
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ST推出手机音频滤波器与ESD保护电路二合一芯片EMIF06-AUD01F2
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意法半导体（ST）推出耳机和话筒接口芯片EMIF06-AUD01F2，在一个大小仅为2.42 x 1.92mm的倒装片封装内，新产品集成了完整的EMI（电磁干扰）滤波电路和ESD（静电放电）保护电路，以保护手机的立体声耳机输出端口和内外部话筒输入端口，提高多功能手机的音频性能。
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2008年06月30日
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安森美推出新款片外ESD保护产品ESD7L5.0D和NUP4212
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安森美半导体(ON Semiconductor)扩充高性能片外静电放电(ESD)保护产品系列，推出ESD7L5.0D和NUP4212。这些新产品以安森美半导体专有的集成ESD保护平台设计，提高了钳位电压性能，同时保持低电容和小裸片尺寸。
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2008年06月23日
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敦南科技推出电源线及一般信号线ESD保护元件L26ESD5V0A2
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敦南科技(LSC)推出新的电源线及一般信号线静电(ESD)保护元件系列的新产品。新的L26ESD5V0A2是一款单向一组ESD保护元件应用。这元件采用业界小包装的封装(SOD523)，它的尺寸为1.6×0.8×0.6 mm，非常适用于手机、PDA、蓝牙耳机等商品。
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2008年05月07日
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意法推出电容和占位面积更小的USB 2.0 ESD保护器件
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保护器件厂商意法半导体(ST)推出一款体积只有1.0×1.45×0.65mm的微型ESD(静电释放)保护器件USBULC6-2M6，这款QFN-6封装的产品尺寸极小，能够满足高速USB接口对完整ESD保护功能(包括电源电压Vbus)的全部要求。
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2008年03月10日
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为高速数据接口提供ESD保护，Semtech详述保护方案
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随着系统IC采用更先进的工艺技术进行制造，系统IC变得更容易受到ESD的伤害；同时，随着数据传输速率继续攀高，对信号完整性的要求也越来越高。尤其是对于每对差分数据传输速度已达到每秒几个Gb以上的HDMI和DisplayPort接口而言，提供信号完整性和ESD保护性能就显得尤为重要。
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2008年02月28日
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ST推出两款单一超小封装内整合ESD保护和EMI滤波功能的新产品
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意法半导体(ST)推出两款在单一超小封装内整合EMI(电磁干扰)滤波和ESD(静电放电)保护两大功能的新产品，利用这两款新产品，系统设计工程师能够在电路板上0.6平方毫米的面积内同时实现 EMI滤波和ESD保护两种功能。
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2008年02月02日
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Maxim新款过压保护控制器为USB数据线提供集成ESD保护
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Maxim推出MAX4987AE/MAX4987BE具有内部过流保护的过压保护(OVP)控制器。MAX4987AE/MAX4987BE理想用于如手机、智能电话、PDA、MP3播放器和便携式视频播放器等连接至USB端口传输或充电的空间受限应用。
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2007年12月03日
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Maxim新款高速Gb LAN开关具有±15kV ESD保护
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Maxim推出MAX4927四路、高速、宽带、吉比特LAN开关。该器件可切换来自两个独立接口变压器的信号，并将其连接到单路、1000 Base-T以太网PHY。为节省空间和成本，MAX4927集成了可靠的、ESD保护架构，省去了所需的外部ESD二极管的同时，仍能满足下列ESD保护规范：±15kV IEC 61000-4-2气隙放电、±8kV IEC 61000-4-2接触放电以及±15kV ESD人体模型。MAX4927还包括LED开关，可将LED输出信号以及以太网信号切换到坞站。
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2007年12月03日
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Tyco使用无源器件实现HDMI 1.3接口过流和ESD保护
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泰科电子(Tyco Electronics)宣布推出用于HDMI 1.3接口的静电放电(ESD)和过电流保护参考设计。这个参考设计使用泰科电子的低电容(信号对地的电容为0.25pF)PESD保护器件，在元件布置和走线方面有效地利用了空间，有利于防止ESD造成损坏，以及电路板空间的优化。在这个参考设计中使用PolySwitch nanoSMD器件来实现+5V电源的过电流保护。
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2007年11月26日
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Vishay新型单线ESD保护二极管面向空间受限应用
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Vishay宣布推出三款新型单线ESD保护二极管，VESD03A1C-02Z、VESD05A1C-02Z及VESD12A1C-02Z采用小型塑料SOD923封装，可在空间受限的应用中提供ESD保护，面向便携式游戏机、MP3播放器及手机等便携式电子及其它对空间敏感的应用。
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2007年11月01日
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Semitel推出超低电容高分子ESD保护元件
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全面线路保护方案供应商Semitel继半导体ESD全面保护方案之后，结合新材料和多层印制线路板技术，推出了超低电容的高分子ESD的专利产品。目前其产品的电容值最低已经能做到0.15pF，完全适合超高速传输的应用场合。
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2007年11月01日
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安森美TVS侵吞压敏电阻市场，提供高性能ESD保护
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随着半导体工艺向65nm以下的转移，芯片集成度不断提高，IC的外形尺寸变得越来越小,但同时也更容易受到ESD损坏。与压敏电阻相比，瞬态电压抑制器(TVS)系列外部ESD保护产品由于具有更好的保护性能、更长的使用寿命以及更小的封装尺寸，因而近年来大有后来居上的架势。
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2007年10月26日
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Maxim推出高压ESD保护DC/AC转换器MAX4990E
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Maxim Integrated Products推出MAX4990E高压、±15kV ESD保护、DC/AC转换器，专门设计用于驱动电致发光(EL)灯。该器件采用基于电感的boost转换器，可产生250VP-P(最大值)的高电压，实现最大的EL灯亮度。高压全桥输出将这一高电压转换为驱动EL灯所需的AC波形。
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2007年10月17日
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安森美推出单线ESD保护器件ESD9L
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安森美半导体(ON Semiconductor)推出新的超低电容静电放电(ESD)保护器件系列的首款产品。新的ESD9L是一款单线ESD保护器件，提供0.5皮法(pF)电容和低钳位电压。这元件采用适合ESD保护应用的最小封装，非常适用于手机、MP3播放器、个人数字助理(PDA)和数码相机等便携应用的高速数据线路保护。
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2007年09月04日
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安森美TVS侵吞压敏电阻市场 提供高性能ESD保护
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电子电路的输入/输出连接器为ESD提供了进入电路及敏感型元件的路径，为了提供有效的静电防护，ESD保护器件的尺寸却越来越大，已经不适合集成在CMOS芯片中。正是为了因应这种市场需求，安森美半导体推出了瞬态电压抑制器(TVS)系列外部ESD保护产品。
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