|
2004年06月22日
|
|
CIR预测08年交换结构市场将接近15亿美元
市场调研公司CIR发表的最新报告指出，2008年全球电子及光学交换结构产品(electronic and
|
|
2004年06月17日
|
|
IR扩大英国厂产能，新增高压IC生产
国际整流器公司(IR)行政总裁Alex Lidow联同英国威尔斯首长Rhodri Morgan，宣布计划在威尔斯(Wales)新港市(Newport)增聘专才及扩展当地厂房生产力达两倍
|
|
2004年06月10日
|
|
IR配接式停滞时间控制IC可用于卤素灯电子变压器
功率半导体领袖国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出全球首项专为电子变压器而设的智能式控制集成电路 ─ IR2161
|
|
2004年06月01日
|
|
IR新型40V同步整流MOSFET优化电信和数据通信应用
国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)日前推出IRF7842 40V N沟道HEXFET功率MOSFET，优化了电信系统中的隔离式直流-直流转换器
|
|
2004年05月14日
|
|
IR新推同步开关芯片组用于驱动高频DC-DC转换器
国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)日前推出新的控制及同步开关芯片组，专攻用来驱动新一代Intel及AMD处理器的高频直流-直流转换器，适用于高羰先进服务器和台式计算机
|
|
2004年05月09日
|
|
IR推出具备高阻断电压特性的铂扩散二极管
国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)日前推出额定600V 60APU06和60EPU06铂扩散超快恢复外延二极管
|
|
2004年05月07日
|
|
IR崭新控制集成电路兼具可调节开关频率及固定参考电压
国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)推出IRU3138同步脉冲宽度调变(PWM)控制器集成电路
|
|
2004年04月02日
|
|
IR全新同步MOSFET以更小电路面积提供低导通阻抗
国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)推出全新IRF6612 30V同步MOSFET，新器件采用IR专有的表面贴装DirectFET封装
|
|
2004年02月03日
|
|
IR全新混入替换式微电子继电器可降低75%的导通阻抗
国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)推出全新PVT212微电子继电器
|
|
2004年01月13日
|
|
IR全新多功能驱动IC广泛用于电机驱动、电源及照明
国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)推出IR2304及IR2308多功能600V高侧及低侧驱动集成电路，产品整合了专为照明镇流器、电源及电机驱动内的半桥MOSFET或IGBT电路而设的保护功能
|
|
2003年12月16日
|
|
IR推出坚固可靠的功率IGBT提高家电及工业电机驱动器性能
国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)推出一对600V、50A非穿通(NPT)分立式IGBT，适合采用D2Pak及TO-220封装的电机驱动应用
|
|
2003年12月05日
|
|
IR新推的两款数码运动控制IC有助减省编程工作
国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)专攻运动控制的iMOTION集成设计平台再添两项新器件
|
|
2003年11月27日
|
|
IR展开“无铅封装”产品转换计划
国际整流器(International Rectifier, IR)宣布，展开新一阶段的“无铅封装”产品转换计划，相关程序可望于2004年完成
|
|
2003年11月14日
|
|
IR推出全新三线调光方案，无需改型即可配置节能荧光灯
国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)推出一款全新三线调光系统方案，广泛用于遍及北美洲及亚洲的酒店和住宅应用
|
|
2003年10月31日
|
|
IR功率半导体组装和测试新厂在西安奠基
功率半导体厂商国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)全新组装及测试制造厂日前在中国西安市进行奠基仪式，IR新厂将成为西安最大的半导体组装和测试工厂
|
|
2003年10月24日
|
|
IR推出崭新桥接、制动及逆变器伺服和马达驱动器模块
国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)日前推出全新PIIPM15P12D007伺服和马达驱动器模块，额定值为1200V及15A，能把桥接、制动及逆变器(Bridge, Brake and Inverter，简称BBI)功能汇聚于单一器件中
|
|
2003年10月15日
|
|
IR全新功率MOSFET有效提升48V网络及通信系统性能
国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)日前推出全新100V额定IRF7495和80V额定IRF7493 N沟道HEXFET功率MOSFET，它们经过特别优化，适用于电信系统中采用隔离式全桥或半桥布置的直流-直流转换器
|
|
2003年10月09日
|
|
飞兆新型高性能小外形IR光电传感器适合遥控等应用
飞兆半导体(Fairchild Semiconductor)日前宣布推出全新QSB34器件，具备高度的设计灵活性，在紧凑的表面贴装封装内提供多种高性能和规格特性
|
|
2003年10月07日
|
|
IR推出的新型特殊应用二极管提升了功率因素修正效率
国际整流器公司(IR)日前推出ETX和ETL高效率二极管系列，适用于开关式电源应用的动态功率因素修正(Power Factor Correction，简称PFC)
|
|
2003年10月06日
|
|
IR新一代150V及200V功率MOSFET器通态电阻降低高达56%
国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)日前推出200V额定IRF7492及150V额定IRF7494 HEXFET N沟道功率MOSFET，成功地把器件通态电阻减低高达56%
|
市场供应
技术前沿
2008年第二届电子供应峰会深圳和上海两站受到取得圆满成功！欢迎进入专题查看峰会详情，为方便大家，您还可以
.gif){kind=spacer}
|
意见反馈 |
网站导航 |
帮助 |
关于我们 |
联系我们 |
使用条款 |
隐私政策 |
安全承诺|
网址推荐