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2008年11月26日
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2009将成3-bit/cell MLC NAND Flash推广年
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现货市场方面，DDR2颗粒价格更频创历史新低价，上周(11/18-11/24)DDR2 1Gb eTT的颗粒价格从0.87美元下滑至0.81美元，跌幅达6.9%，从第四季开始仅仅二个月间跌幅高达33.6%。
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2008年11月06日
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需求弹性减弱，NAND flash市场收入将进一步下滑
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市场研究公司iSuppli在日前发布的预测中指出，全球NAND flash市场收入在上世纪末和本世纪初曾获得超过100%速度的增长，然而2008年，预计NAND flash市场收入将减少14%，2009年继续减少15%。
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2008年11月05日
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NAND Flash品牌厂商2008年第三季营收排行
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十月开始随着各台系DRAM厂财报陆续出炉，第三季的亏损随着颗粒价格持续下跌而扩大，力晶、茂德、南科与华亚科分别净损了150亿、87.9亿、87.7亿与40.5亿台币，第三季合计亏损了近366亿，前三季台系DRAM厂共亏了908亿左右。
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2008年11月01日
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Spansion发布ORNAND2，加入NAND战局
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NOR还是NAND的争论一直是业界关心的话题，随着英特尔、Spansion等NOR闪存厂商先后发布NAND产品，两者之间的界限显得越来越模糊。近日，Spansion发布了采用NAND架构的MirrorBit ORNAND2生产计划，进一步扩展产品线的多样化。
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2008年10月15日
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NAND Flash合约价呈现涨跌互见情况
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美光与华亚的合并案确立后，奇梦达的市占率版图将更形弱势，根据集邦科技以月产出量统计，因应华亚50%的产能将从奇梦达转移至美光，从未来的策略联盟来看，美光与南亚的产能为21.4%已经逼近尔必达与力晶联盟的21.9%和海力士与茂德联盟的21.6%。
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2008年09月24日
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NAND Flash供给增长放缓将有助4Q价格止稳
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集邦(DRAMeXchange)分析师表示，海力士在全球市占率约20%，所减少的产能约占全球DRAM产出的3%-3.5%，加上日前力晶与尔必达已宣布减产的部分，集邦科技估计目前所减少的产能共占全球产能的5%-6%左右。
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2008年09月09日
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三星拟收购SanDisk，欲控制更多NAND闪存市场
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三星电子(Samsung)上周五表示，正考虑有关美国闪存制造商SanDisk的“各种选择”。之前有报道称，三星有兴趣竞购SanDisk。
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2008年08月22日
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盘点第二季度NAND闪存市场 仅三星盈利
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据市场调研公司iSuppli公司，第二季度NAND闪存市场供应商的排名保持不变，但三星电子(Samsung)是第二季度唯一一家实现盈利的供应商。
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2008年08月08日
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恒忆与海力士扩大合作 共推创新NAND闪存技术
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恒忆(Numonyx)近日宣布与海力士(Hynix)半导体公司达成为期五年的协议，在飞速增长的NAND闪存领域扩展联合开发计划。针对NAND技术在未来五年面临的挑战，两家公司将扩大NAND产品线并共同研发未来产品，进行技术创新。
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2008年08月06日
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NAND Flash品牌厂商2Q08营收排行
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现货市场近期交投冷清，价格自七月初下滑之后呈现盘整的疲软走势，就七月而言，需求疲弱，供给充裕。至七月底，现货市场方感受到供给略有趋缓。
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2008年07月30日
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NAND Flash市场静待北京奥运后的旺季需求回暖
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上周现货市场依然延续平稳的价格走势，价格表现疲软且交投相当低迷，DRAM价格依然呈现小幅涨跌互见的走势，DRAMeXchange统计7/22-7/28的现货价格，eTT价格方面，DDR2 eTT 512Mb呈现平稳的表现，价格维持在0.86美元，而DDR2 eTT 1Gb也从1.80美元上涨至1.82美元，涨幅约1.1%。而品牌颗粒的部分，DDR2 667 512Mb从0.95美元下跌至0.94美元，跌幅约1.1%，而DDR2 667 1Gb从1.96美元下跌至1.94美元，跌幅也约1.0%。
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2008年07月23日
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NAND Flash总体不确定性弱化淡季需求
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DRAM合约价在四月出现落底讯号，五月强劲反弹，1GB均价由四月17.5美元上涨至七月22美元，涨幅达30%。然而在同期现货价 DDR2 1Gb 667MHz却由2.16美元下跌至1.97美元，下跌幅度约9%。
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2008年07月16日
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NAND Flash价格短期止跌回稳
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现货市场DDR2 eTT 512Mb 与DDR2 eTT 1Gb价格自上周(7/7-7/11)大幅滑落之后，DRAM价格就呈现价跌量缩的走势，DRAMeXchange统计自7月1日至7月14日为止的eTT现货价，DDR2 eTT 512Mb从0.97美元下跌至0.91美元，跌幅约6.2%，而DDR2 eTT 1Gb也从1.95美元下跌至1.84美元，跌幅约5.6%。而品牌颗粒的部分，DDR2 667 512Mb与DDR2 667 1Gb的跌幅也约在2.9%与5.9%。
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2008年07月04日
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苹果效应失灵，NAND闪存市场增长放缓
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多年来，苹果推出的新产品一直推动着NAND闪存市场的增长，所谓的“苹果效应”提高了海力士(Hynix)、三星、东芝和其它NAND闪存芯片厂商的业绩。
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2008年06月20日
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SanDisk联手东芝开发3D存储芯片 欲取代NAND技术
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据一份提交给美国证券交易委员会(SEC)的文件，为了扩大合作，SanDisk与东芝(Toshiba)计划合作开发某些类型的可重写3D存储芯片。
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2008年06月19日
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市场不断下滑 东芝计划关闭200毫米NAND合资企业
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在NAND闪存市场下滑之际，日本东芝(Toshiba)将小幅缩减NAND闪存产量。为此，该公司计划停止FlashVision Ltd.的NAND生产。这是东芝与SanDisk公司之间的合资企业，位于它在日本四日市的工厂。
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2008年06月06日
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海力士与三星欲推3-bit-per-cell NAND，或对SanDisk不利
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韩国海力士(Hynix)半导体和三星(Samsung)电子各自都在加紧努力，开发每单元三位(3-bit-per-cell)的NAND闪存。据《Chosun Ilbo》报道，海力士在6月4日开发出了一款采用three-bit-per-cell技术的32GB NAND闪存。
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2008年06月06日
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Intel与美光推出34nm NAND芯片, 引领跨入30nm工艺时代
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Intel和美光(Micron)日前宣布，其合资公司IM Flash Technologies已经开发出基于34nm工艺的32Gb MLC NAND闪存单芯片，该器件die面积仅为172mm2，将使用300mm晶圆片制造。Intel和美光计划从6月份开始提供样片，量产则在今年晚些时候。
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2008年06月02日
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英特尔-美光推出34纳米NAND，业界对此褒贬不一
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英特尔(Intel)与美光(Micron)合作推出了34纳米32Gb的多层单元(MLC)芯片，是业内首款小于40纳米的NAND闪存器件，据称在制程竞赛方面走在了东芝(Toshiba)、三星(Samsung)和其它厂商的前面。
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2008年04月22日
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NAND价格回暖但仍供大于求 第二季度将继续下跌
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NAND flash供应商的大好消息：最近价格已经上涨。坏消息：不要企望NAND形势好转。NAND市场仍是供大于求，这个季度的终端需求只是季节性的，ASP在第二季度会继续下跌10%到20%。
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