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| 拆解三星PCM手机，相变存储器终现身 Chipworks最近为寻找PCM（相变存储器）芯片拆解了三星的GT-E2550 GSM手机，并在部分手机中发现了采用65纳米工艺制程、多芯片封装的512M PCM芯片。 |
2011-05-09 |
| F-RAM两大生意成倍增长市场：汽车和物联网 在林林总总的非易失性存储器市场，如闪存、EEPROM、MRAM、非易失性RAM、相变存储器、SSD和移动硬盘等，铁电存储器(F-RAM)可能是最不起眼的一种。由于价格贵、容量小和应用市场窄，F-RAM的市场一直做不大。 |
2010-12-08 |
| 恒忆Omneo系列相变存储器耐写次数高达100万次 近日，恒忆(Numonyx)作为相变存储技术(PCM)的创新者，宣布正式推出全新系列相变存储器。该系列产品采用被称为相变存储(PCM)的新一代存储技术，具有更高的写入性能、耐写次数和设计简易性，适用于固线和无线通信设备、消费电子、PC和其他嵌入式应用设备。目前该产品已经量产，并向市场供货。 |
2010-09-28 |
| 移动存储最值得纪念的一年——2009 与 2009 年相比，iSuppli 公司预计，2010 年将会是相对平静的一年。由于供应商们对经济出现二次探底还心有余悸，产能扩张将会受到牵制，而且供应商们会慢慢地增加产能，以免损及复苏。 |
2010-02-05 |
| 非易失性半导体存储器的相变机制 经过研究人员对浮栅存储技术的坚持不懈的研究，现有闪存的技术能力在2010年底应该有所提升，尽管如此，现在人们越来越关注有望至少在2020年末以前升级到更小技术节点的新式存储器机制和材料。 目前存在多种不同的可以取代浮栅概念的存储机制，相变存储器(PCM)就是其中一个最被业界看好的非易失性存储器，具有闪存无法匹敌的读写性能和升级能力。 |
2009-12-21 |
| 恒忆与英特尔推动可扩展式大容量相变存储产品的开发 相变存储 (PCM) 是一项结合了现今多种存储产品类型的不同优点的非易失性内存技术，恒忆 (Numonyx) 与英特尔 (Intel) 今天宣布双方在该领域得研究中取得关键性突破。研究人员得以首次演示能够在单一芯片堆栈多层 PCM 阵列的 64Mb 测试芯片，对于随机存取非易失性存储器及存储应用而言，这些发现有助于推出容量更大、功耗更低且尺寸更小的存储装置。 |
2009-11-24 |
| 恒忆研发中心落户上海，深度服务亚洲嵌入式市场 全球最大NOR闪存芯片供应商之一恒忆(Numonyx)宣布，该公司已于7月12日与上海外高桥保税区签署厂房租赁合同，正式投资落户上海。 |
2009-09-07 |
| 存储巨头恒忆联手三星共同推动下一代PCM商用 恒忆(Numonyx)与三星电子(Samsung Electronics)日前宣布将共同开发制定相变存储器(Phase Change Memory，PCM) 产品的市场规格，此新一代存储技术可满足载有大量内容和数据平台的性能及功耗要求，从而帮助多功能手机及移动应用、嵌入式系统、高级运算装置的制造商应对设计挑战。 |
2009-06-26 |
| Ovonyx与奇梦达就PCRAM技术签订长期交叉许可协议 Ovonyx公司与奇梦达股份公司日前宣布，双方就采用Ovonyx和奇梦达的相变随机存取存储器(PCRAM)相关技术专利及知识产权的内存产品，签订长期交叉许可协议。根据该协议规定，Ovonyx公司将大力支持奇梦达相变内存产品开发项目。 |
2007-01-23 |
| IBM、英飞凌和Macronix合作开发相变存储器 Macronix公司日前表示，IBM、英飞凌(Infineon)和Macronix已经同意联合研究相变存储器(PCM) |
2005-05-26 |
| 三星和英特尔的研究推动PRAM存储器发展 相变RAM（PRAM），也被称为双向开关半导体存储器或硫族化物存储器，似乎正在重新焕发生机 |
2003-08-30 |
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