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2009年12月21日	非易失性半导体存储器的相变机制
	经过研究人员对浮栅存储技术的坚持不懈的研究，现有闪存的技术能力在2010年底应该有所提升，尽管如此，现在人们越来越关注有望至少在2020年末以前升级到更小技术节点的新式存储器机制和材料。 目前存在多种不同的可以取代浮栅概念的存储机制，相变存储器(PCM)就是其中一个最被业界看好的非易失性存储器，具有闪存无法匹敌的读写性能和升级能力。
2008年04月08日	Numonyx确认相变存储器将跨节点采用45nm技术
	由英特尔公司和ST的存储器业务部门联合组成的闪存公司Numonyx，已证实将跨过一个节点，采用45nm制造工艺“以最快速度”推出相变存储器(PCM)。
2008年02月22日	英特尔与意法半导体推出业内首款相变存储器原型
	英特尔(Intel)和意法(ST)半导体宣布开始向客户提供采用创新的相变存储器(PCM)技术制造的未来存储器的原型样片，这些原型样片是市场上首批交付给客户评测的相变存储器的功能芯片，使相变存储器技术向商业化目标又迈进了一步。
2005年05月26日	IBM、英飞凌和Macronix合作开发相变存储器
	Macronix公司日前表示，IBM、英飞凌(Infineon)和Macronix已经同意联合研究相变存储器(PCM)

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