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2009年11月09日
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Q309 NAND闪存品牌厂商营收排名三星居首
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2009年第三季NAND Flash品牌厂商营收都较上一季成长，2009年第三季全球NAND Flash品牌厂商整体营收为33.55亿美元，较上一季的27.59亿美元环比成长21.6%。就2009年第三季NAND Flash品牌厂商营收排行来看，三星营收为12.9亿美元，市占率为38.5%，维持第一。
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2009年05月12日
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恒忆、群联结盟海力士，剑指新一代通用型NAND闪存控制器
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恒忆半导体(Numonyx)、群联电子(Phison)和海力士(Hynix)日前宣布三家公司签署一份合作开发协议，三方将按照JEDEC新发布的JEDEC eMMC 4.4产业标准，为下一代managed-NAND解决方案开发闪存控制器。 预计此项合作将加快当前业内最先进的eMMC标准的推广，有助于管理和简化大容量存储需求，提高无线设备和嵌入式应用的整个系统级性能。
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2009年04月27日
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TDK推出GBDriver RS2系列NAND闪存控制器
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TDK公司日前宣布开发出兼容串行ATA (SATA) II的NAND闪存控制器芯片GBDriver RS2 系列，并计划于五月份开始销售。
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2009年03月17日
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美光发布其高密度系列BA NAND闪存
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美光(Micron)科技股份有限公司日前公布其高密度系列的块抽象化(BA) NAND闪存，可用于个人媒体播放机和其他应用中。BA NAND是个单封装解决方案，使用美光业内领先的34纳米工艺技术 - 将MLC NAND与一个内存控制器相结合，无需对控制器/系统进行费力的重设计即可采用后续世代的NAND。
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2009年01月15日
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SanDisk与东芝将推出32纳米NAND闪存
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在不断寻求NAND闪存领域的领先技术，SanDisk公司透露该公司将在2009年推出32纳米的产品。而SanDisk的合作伙伴，东芝(Toshiba)公司也据称将要在2009年下半年发布纳米的NANA芯片。其他公司或许也会推出最先进的NAND产品，但真正的问题在于，是否或者何时整个行业会复苏。
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2008年12月22日
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恒忆针对无线通信和嵌入式市场推出新NAND闪存
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恒忆公司(Numonyx)针对无线通信、嵌入式设计和数据存储市场推出新系列NAND闪存产品。新系列产品包括32Gb(gigabits)的多级单元(MLC)NAND闪存、32GB(gigabytes)的eMMC存储芯片和高达8GB的microSD产品，全部采用先进的41nm制造工艺。
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2008年12月12日
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美光面向嵌入式应用推出串行NAND闪存
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美光科技有限公司(Micron Technology, Inc.)日前推出一项串行NAND闪存技术，使嵌入式应用产品能够灵活方便地升级存储容量。美光串行NAND闪存的最低芯片密度为1Gb。
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2008年09月08日
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NAND闪存盈利能力有限 市场已出现“脱节”现象
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Gartner公司的分析师Bryan Lewis称，NAND闪存市场原本已经朝着2008年的后增长方向发展，但现在却出现了10%的下滑。Lewis表示，对于很多半导体种类，市场仍处于强劲势态，但NAND闪存市场却在过去的两个月里出现“脱节”。
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2008年08月08日
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TDK推出兼容U.DMA6的GBDriver RA8系列NAND闪存控制器LSI
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TDK 公司近日宣布开发出GBDriver RA8系列NAND闪存控制器LSI。GBDriver RA8系列是用于U.DMA6的高速NAND控制器IC，与2K字节/页和4K字节/页的NAND闪存兼容，主要用于民用、工业用嵌入式系统设备及IT设备。
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2008年06月05日
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Marvell推出超薄型基于PCIe的88NV8120 NAND闪存控制器
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Marvell近日宣布推出超薄型基于PCI Express (PCIe) 的 Marvell 88NV8120 NAND 闪存控制器。该控制器是在计划的固态存储控制器范围内推出的首款 Marvell 产品。
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2008年05月01日
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PC应用推动，ONFI与LBA阵营争锋NAND闪存接口标准
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NAND工业终于在存储容量和单位成本上发展到PC行业可以接受的程度。相对于其它消费电子产品，单台PC对存储容量的需求至少要大一个数量级，加之PC市场规模巨大，NAND在PC平台的应用将会催生一个新的蓝海，NAND业界对此普遍看好。因此，由英特尔倡导的ONFI阵营与东芝倡导的LBA阵营展开了激烈的斗争。
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2008年04月08日
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Micron推迟NAND闪存工厂建设计划 市场供需将获改善
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美光(Micron)搁浅了新加坡建厂的计划，其竞争对手海力士(Hynix)也计划减产NAND flash产品。而市场龙头三星(Samsung)以及东芝(Toshiba)据称没有减产NAND flash的计划。
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2008年03月10日
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东芝携NAND闪存等多个产品线亮相IIC
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在本届IIC-China 2008展会上，日本东芝(Toshiba)在带来了基于NAND技术的存储系列产品、蓝牙汽车音响方案以及针对中国地面数字广播系统方案。
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2008年02月28日
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NAND闪存工厂推迟兴建 产量提升速度可能放慢
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NAND闪存市场增速放缓的又一个迹象：厂商正在推迟兴建新的闪存工厂，或者放慢闪存工厂的产量提升速度。日前东芝(Toshiba)和SanDisk宣布将在日本兴建人们期待很久的Fab 5工厂。据这两家公司，该工厂将生产NAND闪存，预计2010年投产。
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2008年02月25日
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2007年NAND闪存厂商排名出炉 三星与东芝位居前列
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2007年NAND闪存营业额达139亿美元，比2006年增长12.5%。在8大供应商中有6家销售额实现增长。与英特尔(Intel)和美光(Micron)一样，东芝(Toshiba)和意法半导体(ST)也设法取得了高于整体市场的增长率，并且扩大了市场份额。
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2008年02月21日
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东芝与SanDisk宣布合建NAND闪存晶圆厂
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东芝(Toshiba)和SanDisk宣布签署一份非约束性的谅解备忘录，准备成立一家合资企业并在日本兴建一家用于制造NAND闪存的300毫米晶圆生产厂。双方表示，目前将开始为工厂选址，计划在2010年投产。
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2008年02月20日
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东芝与SanDisk开发采用43纳米工艺的16Gb NAND闪存
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东京东芝(Toshiba)株式会社近日宣布成功开发出专用于16Gb NAND闪存芯片的技术，这款闪存采用43纳米工艺技术制造，这种技术是与美国加利福尼亚州米尔皮塔斯市的SanDisk公司共同开发的。
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2008年02月18日
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东芝投资66亿美元兴建NAND闪存工厂，09年量产
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据《朝日新闻》(Asahi Shimbun)报道，日本电子巨头东芝(Toshiba)将投资逾66亿美元在日本北部兴建一家新的NAND闪存工厂。这家工厂位于Iwate Prefecture，将在始于2009年4月的会计年度内开始量产。
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2008年01月14日
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市场供应增加 东芝预期NAND闪存前景黯淡
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东芝(Toshiba)的心态正在发生变化，尤其是对于它的NAND闪存业务。不久以前，东芝(东京)的NAND脱销。实际上，由于需求高涨，该公司最近谢绝了大约25%的NAND订单。东芝是全球第二大NAND供应商仅次于三星(Samsung)电子。
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2007年12月14日
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Cypress新款控制器具备多层单元NAND闪存支持能力
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Cypress推出了一款具备多层单元(MLC) NAND闪存支持能力的新型West Bridge外设控制器，可为设计者采用成本最低、密度最高的闪存存储器提供支持。这款West Bridge Astoria控制器最高支持16个MLC NAND闪存设备，而MLC NAND闪存与相同存储密度的单层单元(SLC) NAND闪存相比，其成本降低了三倍，适用于PMP、无线网卡、收发器、PND、数码相机、POS终端以及其它许多应用。
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