IR -30V P沟道功率MOSFET使设计更简单灵活
上网时间： 2010年09月17日 我来评论关键字：SO-8 P 沟道 MOSFET
[摘要提示]全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封装 P 沟道 MOSFET硅组件，适用于电池充电和放电开关，以及直流应用的系统/负载开关。新款 P 沟道器件的导通电阻 (RDS (on)) 为 4.6 mΩ至59 mΩ......阅读全文请登录
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刘宝红，电子行业资深人士，积累了丰富的采购实践经验。美国注册采购经理（C.P.M.）、六西格玛黑带，并通过生产和库存管理认证（CPIM）。
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