DRAMeXchange全球半导体观察表示,现货市场也依然维持强劲的上升格局,DDR3/4 4Gb价格分别来到2.46/2.48美元,较上月同期比较已上涨17%与24%,显见市场对于后市上涨仍将持续保持乐观的态度。

DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示,观察市场面,由于原厂产能陆续转进移动式内存与服务器内存后,标准型内存产能已低于20%以下,加上厂商库存水位偏低与旺季需求比预期更佳,标准型内存出现历年少见在无工厂意外情况下而价格暴涨的情形,此效应也让其他的DRAM产品在第四季皆有涨幅。

近期上涨行情成寡占格局最佳典范,长期不利中国厂商进军内存产业

吴雅婷指出,2016下半年在全球智能手机与服务器需求强劲下,DRAM产能迅速转进移动式内存与服务器用内存,标准型内存因此面临供需严重失衡,成为DRAM价格全面起涨的契机。同时,三大DRAM厂间关系也发生了微妙的变化,首先三者认同自己现在的竞争态势,不再为抢占市占率而非理性扩产,在共荣共存的前提下,也都遵循最大供货商的价格策略,不再削价竞争,以确保自身最大获利。

此外,DRAMeXchange预估各家原厂对2017年DRAM资本支出将不会扩大,较今年持平或是下修可能性高,意味军备竞赛暂告落幕,以获利为首要目标将是DRAM厂一致的共识,2017年产能年成长也将创下近八年来最低,供给位元年成长率低于20%。

值得注意的是,中国政府近年宣示进军内存产业,时值市场状况不佳,借并购与合作确实是切入内存产业的最佳时机点,韩系厂商都处于获利阶段,与中国合作意愿不高,反观财务状况不佳的美光自然是中国政府的目标,然而,经由这次韩系DRAM大厂主导的涨价,不光帮助美光摆脱财务窘境,在未来持续获利的情况下,也无形降低美光与中国合作的意愿,毕竟在中国大举进军存储产业的背景下,三大DRAM厂不免感到压力。

吴雅婷表示,此波涨价蕴含着三大DRAM原厂的近期目标与长期策略,近期可让自身维持不错的获利结构,长期则可提高中国进军内存产业的门槛。

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