有传闻表示,作为明年上半年的旗舰处理器,高通骁龙830将会采用四个大核心、四个小核心的八核Kryo架构设计,最高频率为2.6GHz,10nm工艺制造。并且,高通骁龙830正在酝酿改名,可能835甚至850,也可能不改。高通内部有意见认为:这样可以促进营销效果。

近日,根据国外科技网站报导指出,高通已经开始为下年的旗舰芯骁龙830准备新的快充技术——QC4.0,它能够在任意时刻精确地识别电池需要的充电功率,具备安全检测功能。

高通快充全称QucikCharge,QC1.0最常见的规格是现在低端机上的5V2A充电;QC2.0走的高电压路线,最常见的是9V和12V的电压,功率一般在15-20W附近;QC3.0着重提升的是充电效率,INOV技术可提供200mV的步进电压调节梯度,提升速度之余可以减轻手机的发热。

QC 4.0快充,传闻最高攻略可达28W的功率,采用5V/4.7A~5.6A和9V/3A(舍弃了12V),同时INOV技术的步进电压精度提升到10mV,进一步提升充电效率并减轻发热。

预计由明年的骁龙830平台首发,而且甚至可能整合到SoC当中,但暂时未知会否提供独立的电源芯片,让其他SoC也能享受新的快充。

事实上,高通采用的是一种被称为“最佳电压智能协商算法”的技术,它能够在任意时刻精确地识别电池需要的充电功率,避免出现过热甚至爆炸等情况。坦白说,此前三星Galaxy Note 7的爆炸事件已经让消费者更加重视手机的安全性能。

外界猜测,支持Quick Charge 4.0技术的智能手机很有可能会在明年第一季度正式进入市场。

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