美光反击大陆挖角,在台湾提告百人

美光在去年底曾寄存证信函给大批从美光阵营跳槽至陆厂,或协助大陆进行研发的联盟厂商,此次又正式透过检调单位协助,诉诸法律行动,提告百人,频有动作意在防止相关营业和技术机密遭窃取。

美光已经证实确已向检调单位提出重要信息遭盗用,并配合检调单位进行调查,但因进入司法调查程序,对到底有多少人遭到调查,目前暂无法对外提供。

但紫光集团澄清,目前挖角前华亚科的员工多是建厂相关事务人员,紫光集团决定朝自主研发DRAM、储存型闪存(NAND Flash)等,目前重心先投入3D NAND Flash研发。

消息人士透露,这波遭到美光反制,透过司法途径对从美光并购后的华亚科和瑞晶员工展开搜索行动,应是已掌握相关人员窃取营业和技术数据跳槽至大陆公司或协助大陆DRAM研发。

遭到搜索的相关人员主要集中在之前的华亚科员工。 据了解,在美光提出并购华亚科全数股权后,前后已有近200位员工跳槽至大陆合肥长鑫、紫光集团和福建晋华等公司,主要原因系大陆相关发展DRAM公司祭出比台湾二至三倍高薪,全力挖角。

稍早包括三星、SK海力士(SK Hynix)也同样寄出存证信函给跳遭至陆厂的员工,不过因主要成员多数来自台厂,且后续挖角行动不断,让美光感到事态严重,决定透过司法途径正式提告,希望藉此防止技术和营业秘密遭陆厂剽窃。

美光展开司法反制行动,确已收到强大恫吓和阻挠陆厂开发DRAM脚步。 据了解,跳槽至福建晋华负责研发利基型DRAM的多位重要成员,也是这次遭到调查和限制出境的对象;由福建晋华出资设在联电南科厂的试产线已暂时停止,正由检查人员进行调查。

台湾逻辑芯片(PLD)人才,恐成大陆下个挖角目标

大陆已将半导体产业列为国家重点发展产业,并揭示到2020年自制率要达到百分之五十,到2025年自制率更推升至百分之七十五。

大陆各省为争取国家产业发展基金挹注,也积极朝自建晶圆厂目标前进,发展目标除了内存外,还包括应用范围更广的逻辑芯片。

据统计,大陆目前宣布投入兴建十二寸晶圆厂投资多达26件,其中已有十二座进入建厂;大陆全力发展半导体的企图,已让全球不敢小觑。

陆厂为达相关政策目标,不惜砸重金,抢人才、抢技术。 其中DRAM产业被列为国家政策指针厂紫光集团,已相继宣示在武汉及南京各自兴建年产卅万到卅五万片的内存生产重镇;合肥长鑫和福建晋华也都相继展开建厂行动。

但DRAM目前技术只剩三星、SK海力士和美光三大厂,尽管陆厂大手笔挖角,但在三大厂反制下,研发时程恐难如预期在明年大举投入DRAM生产,倒是NAND Flash突破防线机率高。

至于被列为逻辑芯片指针中芯,近来面临廿八奈米良率一直无法突破,也把挖角行动伸向台厂,虽然台厂中的台积电等向来对防止技术外流做了极万全的防护,但人才跳槽是最难防,如果对岸处心积极要挖角,也有可能突破防线,目前台湾在晶圆代工虽取得全球领先优势,但还是得提防对岸猛烈的挖角行动。

在全球主要三大DRAM厂三星、SK海力士及美光全力防堵技术流向陆厂外,对岸挖角行动也伸向台积电等逻辑芯片代工厂。

相关法律人士建议,企业防范未然,游戏规则订清楚且应定期检讨。

企业防止营业秘密外流主要有三招:

第一,资方须严守营业秘密,可让仅需了解相关工作的关键员工知道即可,同时,在制程方面,也应仅有少数人可完整了解,或各员工了解的营业秘密有所区隔。

第二,任何工作守则、承诺书等法律文件都应签署,游戏规则定清楚且定期检讨。

第三,机密的内容应使用公司计算机与手机。

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