日前,由于受智能手机AMOLED新增需求、触控IC及驱动IC整合单芯片带动的NOR-Flash需求,加上全球NOR-Flash每月投片约仅约8.8万片,高度定制化与产能不易扩张的影响下,根据全球市场研究调查机构TrendForce内存储存研究(DRAMeXchange)日前研究报告指出,NOR-Flash供不应求的格局持续,而且预估2017年第3季NOR-Flash价格将上涨两成。不过,之后这样的情况,在当前NOR-Flash的市场价格破坏者兆易创新(Gigadevice)加强投片的情况下,恐怕将会有所改变。

根据DRAMeXchange日前的研究指出,观察全球NOR-Flash供给状况,目前全球两大供货商赛普拉斯半导体(Cypress)和美光(Mircon),一方面在赛普拉斯确定逐步淡出NOR-Flash市场,赛普拉斯半导体转向为专注在车用和工规的市场。另外,美光也将专注在DRAM的生产之后,逐步推出NOR-Flash的市场经营,导致自2016年下半年以来,市场出现供不应求的现象。使得产品价格节节上扬,也进一步推升旺宏、华邦电以及兆易创新的市占率。

以目前营收为市占率计算基准来看,赛普拉斯市占率为25%,排名第一,旺宏市占率24%,排名居次,美光市占率18%,排名第三,之后才是华邦电与兆易创新。然而,在赛普拉斯与美光逐步退出NOR-Flash市场的情况下,其他3家厂商开始抢攻市场。

只是,一开始,在中国国家政府补贴经费给予武汉新芯提供产能的情况下,当时兆易创新的客户数不多,无法发挥产能上的优势。如今,在兆易创新有了客户,但是武汉新芯在有自己的营运考虑,也就是旗下12寸厂每月3万片的产能,三分之一用来进行逻辑IC代工,三分之二才进行NOR-Flash生产的情况下,武汉新芯既要服务兆易创新,又要服务其他厂商。这使得兆易创新的产能受到限缩,无法进一步补上市场的缺货缺口,使得日前NOR-Flash市场面临供不应求的情况。

不过,据了解,兆易创新当前的投片情况已经开始有所调整,也就是藉由在中芯与华力微上的增加投片,增加产能,来满足市场上的需求。消息人士指出,由于中芯目前的产能利用率较低,兆易创新自6月份开始就在中芯开始投片。而且数量从一开始的每月2000片,提升到当前8000片的数量,已经足成长了4倍数量,数量可观。此外,兆易创新跟华力微的合作方面,也已经正式开始投片。

而且,整体预估产能提升到5.5万片时,华邦电中科厂就全数满载。由于,华邦电强调,新增产能将全数生产NOR-Flash及部分NANDFlash的情况下,加上兆易创新的扩产,未来NOR-Flash的价格是不是还会持续有成长的趋势,恐怕会有很大的变量发生。

日前,力晶董事长黄崇仁宣布,因为看好NOR-Flash的市场发展,将重启NOR-Flash生产的计划。根据市场人士的指出,目前这方面似乎也已经有晶圆开始产出。不过,因为不同于过去力晶用于生产的90纳米工艺,当前要采用的为65纳米工艺。在工艺技术上有许多不同情况下,这批晶豪科投产的晶圆,相信只是一般的试产部分,距离真正量产的时间点恐还有一段时间。这部分对于未来市场的影响将会如何,还有待后续的观察。

此外,旺宏总经理卢志远卢志远预期,今年NOR-Flash市场将持续供不应求,由于价格持续上涨,目前采取配销模式,75纳米以上工艺产品约占第2季NOR产品线营收比重50%,强劲需求主要来自每个应用领域、及产品容量;旺宏今年第1季NOR-Flash全球市占率已达26%,居全球之冠,预估今年全年市占将挑战30%;另外,SLCNAND Flash今年也是供不应求,同样采取配销模式。因应客户端强劲需求,旺宏启动高端产能扩充计划,预计新产能每月将增加4800片,可望今年底产出,全数在12寸厂生产,低密度的产品则改由8寸厂生产。 20170822-FLAS-12 集邦、IC Insight等研究机构最近纷纷出具报告,三大内存今年创下历年最缺且涨势最久纪录,同时缺货更是以前没有的情况。随苹果新手机即将上市,三大内存优先供货给苹果,非苹阵营也积极备货,厂商预期,三大内存下半年缺货比上半年更严重。

业界分析表示,DRAM、NAND/NOR Flash三大内存同缺,台湾厂商拥有产能的南亚科、华邦电和旺宏到年底的产能已全数被抢订一空,三家厂商正积极去瓶颈,提升产出,抢食缺货商机。

南亚科目前在林口有二座12寸厂,其中3A厂30纳米制程产品,有90%都是在美光科技技术基础上自行研发设计;全新的3An厂,今年导入20纳米制程后,5月取得客户验证,提前在今年第2季量产,目前良率相当好,预定今年底单月投片量达3万片。

华邦电目前月产能约4.3万至4.4万片,预料年底可增至4.8万片,希望明年中后再增加到5.2万至5.3万片,但估到5.5万片时,中科厂就全数满载。华邦电强调,新增产能将全数生产NOR Flash及部分NAND Flash,希望未来Flash产出量与DRAM相近。(来源:Technews、经济日报)

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