此次提前封顶的项目(一期)一号生产及动力厂房建筑面积达52.4万㎡,预计将于2018年投入使用。项目(一期)达产后,总产能将达到30万片/月,年产值将超过100亿美元。

国家存储器基地项目一期规划投资240亿美元,占地面积1968亩,于2016年12月30日正式开工建设,将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash 生产厂房,其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。

2016年3月,总投资约1600亿元人民币的国家存储器基地在武汉启动。四个月后,为该项目组建的长江存储科技有限责任公司(以下简称“长江存储”)正式成立。

据报道,长江存储的注册资本分两期出资。一期由国家集成电路产业投资基金、湖北国芯产业投资基金和武汉新芯股东湖北省科技投资集团共同出资,武汉新芯的基础上建立长江存储,武汉新芯成为长江存储的全资子公司。二期将由紫光集团和国家集成电路产业投资基金共同出资。

长江存储在2017年初引进紫光集团资金,长江存储的股权结构变成紫光旗下的紫光国器持股达51%,紫光集团董事长兼长江存储公司董事长赵伟国到场参加封顶仪式。

紫光原本规划旗下紫光国芯将收购长江存储100%股权,后因内部评估长江存储的投资规模十分庞大,目前处于前期的建设阶段,短期内无法产生营收,认为现在收购长江存储100%股权的条件不够成熟,所以该计划暂时喊停,但紫光强调长江存储需要的人民币386亿元资金全数到位。

目前长江存储与合肥长鑫、福建晋华是中国三大存储芯片企业,据悉长江存储现已研发出了国产32层堆栈的3D NAND Flash,预计2018年后量产。另有报道,高启全曾表示长江存储将在2019年开始量产64层堆栈的3D NAND闪存,力争把与三星等大厂的差距缩短在2年以内。

存储器占整个半导体市场规模超20%,地位十分重要,而且存储芯片是信息安全中的重要一环。目前存储芯片市场主要由美日韩主导,是高度垄断的寡头市场格局。“受制于人”的被动局面,不仅让我国企业承受着巨大的专利扼制之痛,而且也时刻威胁着国民经济以及企业经营的安全。

如今中国存储芯片已经上升到国家战略高度,长江存储肩负着振兴国产存储器的重担,但目前存储芯片产业垄断高、投资大、壁垒高,长江存储今后要走的是一条充满挑战之路。

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