关于高通(Qualcomm)新一代行动芯片发展,外界已盛传高通新一代Snapdragon 845芯片组,预期在2018年将搭载于三星电子(Samsung Electronics) Galaxy S9及S9+旗舰智能型手机中,可能采10纳米制程技术。而据知名爆料人士Roland Quandt最新消息称,高通已开始开发更新一代Snapdragon 855芯片组,可能会搭载于2019年的新旗舰智能型手机中,且Snapdragon 855可能将采7纳米制程技术,并传出可能改由台积电代工。

根据Gizmochina网站报导,Quandt是在浏览高通一位名为George Fang软件工程师的Linkedln档案时,发现提到高通似乎正在为即将推出的Snapdragon 845及Snapdragon 855芯片组开发Linux kernel驱动程序。

Snapdragon 855也被描述为是一款高通最新SDM855系列处理器,代号则是「Hana v1.0」,Snapdragon 845则被描述为是高通最新SDM 845行动处理器的一款复杂系统单芯片(SoC),代号则为「Napali v2.0」。

另据近期传言显示,三星可能将不会为高通生产7纳米芯片组,Snapdragon 855芯片组传出可能改交由台积电生产,不过Snapdragon 855据推测却可能搭载于三星预计2019年推出的最新一代Galaxy S及Galaxy Note旗舰智能型手机中。

此外,外界也预期搭载Snapdragon 855芯片组的行动装置,可能会在显示器中内建超声波指纹扫描仪。虽然这项技术目前已导入部分搭载Snapdragon芯片组的行动装置中,但预期随着Snapdragon 845及Snapdragon 855的问世,该指纹感测技术效能表现可望提升,且预期指纹感测技术到了2019年可望成为市场主流应用。目前外传高通可能会在2018年第4季正式发表Snapdragon 855芯片组。

其它传言则称高通Snapdragon 855芯片组,可能将较Snapdragon 845芯片做出部分性能强化,如此前有消息称Snapdragon 855可能将提供达30~40%性能提升,并改善人工智能(AI)技术及强化功耗表现。

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