180亿进军DRAM存储器

兆易创新10月27日公告中显示,为进一步推动公司发展,北京兆易创新科技股份有限公司与合肥市产业投资控股(集团)有限公司于2017年10月26日签署了《关于存储器研发项目之合作协议》,协议规定,双方将在安徽省合肥市经济技术开发区合作开展工艺制程 19nm存储器的 12 英寸晶圆存储器(含 DRAM 等)研发项目(以下简称“本次合作”或“本项目”),本项目预算约为180亿元人民币。

据协议约定,兆易创新与合肥产投依据1:4负责筹集资金,项目内容为在合肥市经济技术开发区空港经济示范区内开展工艺制程19nm 存储器的12英寸晶圆存储器(含DRAM等)的研发,目标是在2018年12月31日前研发成功,即实现产品良率(测试电性良好的芯片占整个晶圆的比例)不低于10%,并约定如果达产5年内(2013年之前),兆易创新(或共同认可的第三方)定向收购合肥产投权益。

按照项目产能的约定,在保证合法合规的前提下,项目研发及生产的DRAM产品优先供兆易创新销售并满足兆易创新客户的市场需求,价格参照市场行情且给予最佳优惠。项目优先承接兆易创新DRAM产品的代工需求,为兆易创新设计产品的流片、生产提供支持与便利,价格参照市场行情且给予最佳优惠。

不过,根据约定,双方《合作协议》需要满足两个条件后才生效:其一,国资监管机构审批同意合肥产投签署《合作协议》;其二,兆易创新董事会、股东大会审议同意本公司签署《合作协议》。目前兆易创新已召开董事会会议,全体董事一致通过了《关于签署的议案》,同意兆易创新与合肥产投签署《合作协议》,共同投资开展本项目。《合作协议》的有效期为生效之日起5年。

这次兆易创新和他的合作,整合合肥长鑫和兆易创新的资源,对国产DRAM产业是一个重大的推进。

按照产能规划,正式投产后兆易创新将成为全球第四大DRAM厂商。如此一来,兆易创新在存储芯片又增加一条重要产品线。

DRAM方面,兆易创新项目投产19nm将成为全球第四家能够掌握20nm内的DRAM厂商,预计2018Q1设备到位,年底前实现10%的良率水平,以目前产能规划及价格,项目达产后实现50亿美金左右的销售额。

Nor flash方面,由于美国美光、赛普拉斯上半年中小容量退出市场,兆易创新目前是全球前三厂商。

Nand slc方面,38nm已经开始出货,预期18年上半年24nm产品开始推出,应用于物联网、通信类、工控等产品。

MCU方面,兆易创新率先于2013年4月推出中国首款ARM®Cortex®-M3内核32位通用MCU产品,又相继推出了中国首个Cortex®-M4MCU系列产品,整体产品规划走在市场前列,是华为NB-IOT生态四大供应商之一,市场份额不断扩大。

人工智能和物联网都是未来十年的大风口,存储芯片就站在这两大风口上,兆易创新是国产存储芯片行业的领先企业,如果合肥空港项目成功,那么技术和产能都搞定了,兆易创新有成为新股王的潜力。

据统计,过去一年内该股有7次涨停,涨停后第二交易日涨6次,跌1次,涨占比85.71%,跌占比14.29%;过去一年内该股有4次跌停,跌停后第二交易日涨2次,跌2次,涨占比50.00%,跌占比50.00%。

兆易创新所在的电子元器件行业,整体涨幅为0.51%,兆易创新涨幅为10.0%。

前三季度净利润3.39亿元 同比增长134.74%

另一个利好消息是其第三季度财报成绩喜人。

10月27日,兆易创新发布2017年三季报,公司前三季度实现营业收入15.17亿元,同比增长44.69%;半导体及元件行业平均营业收入增长率为33.95%;归属于上市公司股东的净利润3.39亿元,同比增长134.74%,半导体及元件行业平均净利润增长率为15.74%,公司每股收益为1.70元;毛利率38.57%,较中报35.69%继续上行。

兆易创新单三季度表现更加亮眼。单季度营收5.78亿,同比增长47%,环比增长19%,毛利率达到43.25%,环比提升2个点;净利润1.58亿,同比增长189%,环比增长46%,其中公司还计提资产减值3000万,其中主要为DRAM存货减值(市场供不应求),汇兑损益1000万左右;存货进一步增加,由4亿提升至5亿,涨价大周期中库存与存货才是生命线,在上涨周期中货比钱还值钱。

兆易创新表示,今年前三季度市场需求增加,导致公司销售增幅较大,公司报告期内净利润较去年同期大幅增长。预计2017年第四季度市场需求保持乐观,销售收入相应增加,初步预计累计净利润与上年同期相比大幅增加。

据悉,上半年兆易创新NOR Flash和MCU系列产品线也推出诸多新品,包括推出了超低功耗的NOR Flash产品、型微控制器新品和指纹识别FPR系列专用MCU等。

9月初,兆易创新披露与中芯国际签署12亿元采购的《战略合作协议》,该协议为供货合作协议,合同标的为原材料晶圆,将有利于保障兆易创新长期稳定的产能供应,进一步巩固双方的长期合作伙伴关系、增强竞争优势。

同样在9月份,兆易创新与国家大基金、北京启迪中海创业投资有限公司、盈富泰克创业投资有限公司签署的《股份转让协议》正式完成过户登记手续。

大基金作为战略投资者成为了兆易创新第二大股东,将发挥国有背景产业基金的产业发展引导作用,支持兆易创新成为国际领先的存储芯片和MCU设计公司,推动公司产品的产业化应用,形成良性自我发展能力,同时带动国家存储产业的整体发展。

关于兆易创新

兆易创新,全称北京兆易创新股份有限公司,成立于2005年4月,是一家以中国为总部的全球化芯片设计公司,致力于各类存储器、控制器及周边产品的设计研发。

2005年,在硅谷实战多年的朱一明决定回国创业。当年4月份朱一明成立北京芯技佳易微电子科技有限公司,获得了启迪之星投资。2010年更名为北京兆易创新科技有限公司。

在2006年兆易量产了第一颗基于SRAM技术的Terayon系列产品,并于2008年前后量产了具有通用SPI接口的512Kb到32Mb的Flash存储器。据公司资深产品市场经理金光一后来的介绍,无论是SRAM还是SPI NOR Flash产品,在当年都是国内销量第一。

2011年,兆易创新又率先打入手机产业链并促使其不断完善,形成了新的产业格局,使手机市场开始大量采用大陆厂的高性价比SPI闪存。

2013年兆易创新在串行闪存领域全球市场占有率达到22. 4%,一举跻身世界前三名,成为该领域全球最大的Fabless供应商。

2013年4月,兆易创新推出的GD32系列32位通用MCU,该成果是中国首个基于ARM Cortex-M3内核的32位通用微控制器,填补了国内相关领域空白,打破了欧美厂商垄断。

2014年兆易创新开始了对台湾的布局,透过区域代理商对台湾的客户进行销售与技术服务,以海外区域的业绩贡献而言,台湾市场是兆易成长最快的几个重点市场之一,主要的应用在条码列印机、扫描器、扫地机器人、LED户外广告机显示或部分工业与车用控制模组如车载诊断系统(On-Board Diagnostic)上都有相当的斩获。

2015到2016年兆易创新还陆续推出了,GD32F2增强型Cortex-M3,GD32F450系列200MHz主频Cortex-M4 MCU和GD32F405/407互联型Cortex-M4 MCU等一系列产品。

2016年8月18号,兆易创新在上交所上市。

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