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DRAMeXchange 分析师刘家豪指出,进入第四季,在服务器出货动能不减的情况下,整体 Server DRAM 供不应求的状况将更为明显,Server DRAM 第四季合约价将持续上涨 6% 至 10%,可望带动厂商营收与利润率表现再创新高。

三星(Samsung)

以目前市场规模来看,三星受惠于整体 DRAM 市场占有率与制程技术领先,市场上 Server DRAM 表现格外亮眼。值得一提的是,三星在高容量模组与布局也相对积极,第三季度整体 Server DRAM 营收来到 25.49 亿美元,季增 28.4%,占整体市场约 45.9%。

展望第四季,来自于服务器的需求将达到今年的顶峰,高容量的模组需求也随着新平台导入进而攀升至年度高点,Server DRAM 仍然供不应求。然而,三星现阶段仍然会持续针对各家 OEM / ODM 调整供货达成率,以达成满足主要客户需求与提高获利水位的目标。

制程方面,三星今年 Server DRAM 仍以 20nm 产出为主,18nm 比重在第四季将会提升至 40%,预期至 2018 年第一季底将逾五成,逐渐成为主流产品。在高容量芯片的规划上,三星将会在其 18nm 导入 16Gb mono die 的设计,目前已送样品至英特尔测试,预计在 2018 度第二季导入生产线,预期将大幅改善 Server DRAM 的成本结构,并有利于高容量模组布局。

SK 海力士(SK Hynix)

受惠于北美数据中心备货需求带动,SK海力士第三季营收较第二季大幅成长 30.1% 至 17.92 亿美元,营业利益率也较第二季改善许多。若从制程进展来看,SK 海力士 Server DRAM 仍以 21nm 为主,而 18nm Server DRAM 将会在 2018 年第一季底小量生产,预计在第二季后产能逐步释放,且随着 ODM 认证进度与良率改善下,18nm 产量比重将会进一步提高。

从产能规划来看,SK 海力士将会逐渐提高 M14 Phase 1 的产能以及无锡厂 18nm 制程转换,其中 Server DRAM 将占其 DRAM 产品比重逾三成,部分产能将会随着市场需求而略为调整,以维持获利水平。面对服务器订单的热络,除了产品线调整外,SK 海力士也会提高高容量模组如 32G 与 64G 的出货占比,预期明年高容量模组的出货将会提升至六成水位。

美光(Micron)

受到价格持续上涨以及制程微缩所带来的成本效益,美光第三季 Server DRAM 位出货量较前一季度成长,平均销售单价也有局部的跃升,激励 Server DRAM 产品营收成长达 13% 来到 12.07 亿美元。

从产品面来分析,美光在 Server DRAM 的比重仍然维持在近三成水位,现阶段获利的持续增长完全有赖于存储器平均销售单价的提升。展望明年,美光将会随着其 17nm 进展与改善而进行增产;截至目前,其良率已有进一步提升且已送样,但在 Server DRAM 产品线的规划上,仍将会视明年第二季后,良率是否能达到经济规模下才会增加投片,现阶段仍然以既有的 20nm 为主要产品。