三星表示,10LPP技术针对低功耗产品所研发,相较于第1代的10LPE在制程可使性能提高10%、功耗降低15%。该制程延续于已量产中的10LPE制程,将大幅缩短从开发到大量生产的准备时间,并提供更高的初期生产良率,因此更具有市场竞争优势。

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三星称,预计将于2018年首季推出采用10LPP制程技术制造的电子产品。因为在晶圆处理上和10nm LPE有跟多共同点,所以三星承诺不仅不会有跳票的情况发生,同时也会扩展客户数量。

为此,三星位于华城(Hwaseong)的S3工厂也为量产做好了准备,目前正准备加速生产10纳米及其以下制程技术。

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据了解,华城S3工厂是三星晶圆代工业务的第3座晶圆厂,其它两座分别是位于韩国京畿道的器兴(Giheung)的S1以及位于美国奥斯汀的S2。

根据规划,三星的7纳米FinFET制程技术与EUV(ExtremeUltraViolet)技术也预计将在S3晶圆厂中于2018年开始大量生产。

另据Engadget、ZDNet报道,由三星代工的高通骁龙845极大可能会运用10LPP技术,三星Galaxy S9搭载的Exynos 9810处理器将会使用该工艺。

有消息称,三星8nm LPP制程工艺的技术验证工作也已完成,将于不久之后大规模量产。三星表示,相比于 10nm 制程,全新8nm制程的芯片不仅面积能缩减 10%,功耗也能降低10%。该工艺正式投产后,将会定位于高端旗舰市场。

有媒体报道称,三星和高通也在推进8nm工艺,首款产品(骁龙855或者服务器芯片)将在明年秋季推出。

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