三星平泽工厂是一栋两层建筑,一楼和二楼每月wafer产能分别为10万片和20万片,二楼的投资规模将大于一楼。三星平泽厂一楼之所以比二楼的生产能力小,是因为它的一些空间被用于办公室和自助餐厅。

二楼分为西区和东区,各自保证每个月10万片wafer产能。二楼第一阶段投资是西区,二期投资为东区。三星预计西区将按照每月7万片3D NAND和3万片DRAM的产能比例来配置生产设备,东区则按照每月10万片DRAM产能来配置生产设备。

三星的平泽厂是自2015年破土动工,现已开始在平泽厂采用最先进的64层3D NAND技术生产NAND Flash,也曾在7月份称计划在2021年之前,总共投资30兆韩元(约合276亿美元),用于平泽厂扩大生产制造能力。

三星平泽厂将成为韩国最大的单一工厂,若三星全面实现生产,将让存储市场供应过剩成为现实,价格行情也将由涨转跌。

三星工厂相关人员表示:“我们已经拿到了预期的订单,预计未来订单会源源不断地到来。”尽管三星电子还没有订购生产DRAM所需设备,但是很可能很快将采取行动。

不过,三星的某位代表也表示:“投资的速度也很重要。设备行业预测,2018年年底或2019年上半年半导体设备的投资将达到20万台。存储产品的价格的走向将取决于三星的投资速度。如果三星根据市场需求调整投资速度,预计对存储市场不会产生太大的影响。”

报道称,三星的西安厂可能也会投资增产(应为 NAND Flash),料于 2018 年底或 2019 年启动。

此外,ETNews也曾在11月初时报道,三星电子正在改装韩国华城工厂16号线,希望能进一步扩大DRAM的生产,同时三星在韩国平泽的生产线也将打造新产品线。

当时报道指出,三星计划在明年下半年之后,华城工厂将全力进入DRAM的生产,今年第三季全球DRAM产能为每月110万组,如果三星的这两条生产线全力生产,那将会提升DRAM的供给20%。

而就在上周,韩媒Digital Times报导,三星电子即将在华城厂区17产线附近的停车场空地增建1条新的EUV专用产线,最快2017年12月就会动工,预定2019年启用,将利用初期10纳米技术生产DRAM,开业界先河。

由此看来,三星可能希望在产能和技术上均领先竞争对手,以期进一步争夺市场份额。

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