威刚2017年12月虽受到客户及通路年底结帐影响,但第四季合并营收达新台币82.28亿元,营运表现维持高档,并较前年同期成长10.8%;2017年全年合并营收达新台币322.25亿元,较前年成长38.8%。

DRAM方面,陈立白指出,大家今年害怕的点主要在三星的扩产,但事实上三星对扩产一事也非常谨慎与小心,因此今年DRAM的市场态势已提前大势底定,可说一整年都是晴空万里。

陈立白进一步分析,市场担心三星将平泽12吋厂的第二层楼改成DRAM投片,但事实上,新产能开出仍然影响不了整体市场供需,但三星对于扩DRAM产能一事,其实很小心,尤其第一,三星去年赚钱多半取自DRAM,可说是集团获利的金鸡母;第二,NAND今年还有战役要打,所以三星不会自己去把获利的DRAM市场打乱。

NAND方面,陈立白坦言2017年涨太多了,加上今年新增产能比较多,上半年会处于去化产能的状态下,恐有供给过剩压力,而市场上均认为今年第一季会跌价,但进入第三季后,新手机采购需求出来,市场自然有机会回到供不应求的状态。

陈立白指出,下半年智能型手机搭载的DRAM及NAND Flash容量都会变大,所以上半年已经缺货的DRAM,下半年会更缺,NAND Flash上半年供给过剩,价格跌一波下来后,第三季后半有机会止跌。

DRAM无新增产能

财讯快报日前报道也指出,DRAM以大方向来说,2018年在Fab端并无新增产能,顶多就是制程从2X奈米推进到1X奈米或是1Y奈米,带动位的成长。市调单位集邦科技更直接表示,2018年各DRAM厂资本支出计划都倾向保守,新增投片量约5~7%,这些新增产能都来自现有工厂产能的重新规划与制程转进。

此外集邦也提到,随着智能手机内存容量升级以及服务器、资料中心需求强劲,2018年DRAM需求将成长约20.6%,供给端方面预估将提升19.6%,所以整体来看,2018年整体DRAM产业供需持续吃紧无虞。

但目前在DRAM仍有两点要 观察,第一、虽然2018年整体DRAM端无新增Fab的产能出来,但是三星有意在平泽(Pyeongtaek)兴建第二座12吋厂,SK海力士也将在无锡兴建第二座12吋厂,这两大厂的新厂产能最快2019年才会开出。

韩媒持续报导提到,三星在平泽厂区的半导体厂是两层楼建筑,二楼无尘室将近完工,这些空间将投入DRAM的扩建。但据业者透露,这两层楼中,有一层是投入3D NAND的扩产,至于另外一层楼中,有意置入月产能五万片的DRAM产线,设备商也透露称三星还没下单采购设备,因此所谓新增5万片的DRAM产能想在2018年就开出,真的很困难。

服务器记忆体合约价续涨

第二个观察点是,DRAM种类繁多,包括Commodity、Specialty、Mobile、Server等DRAM,因为彼此间有产能排挤效应,究竟在2018年,哪几种会最缺,价格涨幅最大,市况还不明朗,因为国际三大DRAM厂,三星、SK海力士与美光,尚未揭露2018年的产品组合。

但市调单位集邦科技提前预测2018年最缺的会是Server DRAM。集邦认为,资料中心的服务器需求与日俱增,2018年服务器记忆体的成长率将达28.6%,续居记忆体各大产品线之首,带动价格上涨,主要原因包括第一、Intel与AMD新服务器平台转换推波助澜,以及第二、北美网路服务业者如Google、Amazon Web Service、Facebook与Microsoft Azure在新资料中心建案上的需求。

2018年第一季度服务器记忆体合约价将再上涨约5~8%,届时主流模组报价方面,一线厂32GB服务器模组将达300美元大关,二线厂更会高于此价格,使得2018年第一季度价格将会维持在相对高点。

esmc01221342

对于2018年NAND产业,业界多估“先下后上”,与NAND产业连动性最高的群联董事长潘健成估第一季价跌需求增、第二季报价回稳、第三季供不应求。但其实因3D NAND良率终于快速上升,尤其64/72层3D NAND纷纷量产,并已优先应用于SSD产品线,120GB的SSD在2017年12月中旬就跌破2017年年初的起涨价,通路商开始大举抛货,报价下看30美元。

本文综合自财讯快报、工商时报报道

二维码