报道称,由于美国苹果对iPhoneX进行生产调整以及中国厂商的智能手机销售减速,部分存储器的价格转为下跌。此前以存储器为中心的半导体需求持续增长,市场行情保持坚挺,包括材料和制造设备领域在内,半导体行业正欲弄清行情是否进入了调整阶段。

在用于智能手机记忆装置的NAND型闪存方面,对需求反映敏感的现货价格较3个月前下跌1成左右,从2016年下半年开始持续的涨价局面发生了变化。

esmc02241421 来源:日经新闻

另据钜亨网报道,财经部落格《Seeking Alpha》专栏作家Robert Castellano也表示,根据 Korea Investment & Securities提供的资料,统整2016年至2018年NAND和DRAM平均销售价格(ASPs),数据显示三星电子SK海力士的NAND和DRAM平均销售价格变化,在最近几季呈现下滑趋势。

esmc02241424 三星 NAND 和 DRAM 平均销售价格变化(来源:钜亨网)

esmc02241425 SK 海力士的NAND和DRAM平均销售价格变化(来源:钜亨网)

日经新闻表示,自2016年iPhone搭载了可容纳几十部高清电影的闪存之后,全球智能手机的容量纷纷变大。此外,IT企业将个人信息保存于数据中心的需求也出现扩大,以容量计算的闪存市场规模被认为将在中长期内保持高速增长。

然而,苹果iPhoneX传出在1~3月减产5成,上海研究公司CINNO的分析师Sean Yang指出,苹果为这些芯片的最大消费者,2017 年占全球总需求量的1.6%,约为 1.6 亿千兆位组 (gigabytes)。iPhone X 的产量减少,意味着内存芯片的消费者减少,将使 NAND 和 DRAM 和平均售价上升幅度减缓。

此外,OPPO、vivo等快速成长的中国手机厂商也陷入苦战,IDC数据显示2017年全球智能手机销量同比下滑0.1%,智能手机市场的变化直接导致闪存的供需趋缓。

据悉,三星原先预计在韩国平泽的工厂,开辟楼层建立新的NAND闪存生产线,但在价格下降后,三星将计划改为在二楼部份区域建立DRAM生产线。据JP摩根证券估算,三星2018年的设备投资中,投向闪存的金额将同比减少3成。

DRAMexchange 预计 2018 年DRAM供给位预计成长 22.5%,高于2017年的约19.5%,而2018年DRAM的收入预计将成长30%,远低于2017年的76%营收成长。

中国大陆存储器的成长也对NAND、DRAM的供需情况产生影响。中国大陆半导体厂商的内存工厂可能最快在2019年下旬即可开始营运,位于福建的晋华集成电路公司指出,工程进度加快,预计在今年10月将完成主要工厂的结构建设,而总部位于武汉的长江存储科技公司将投资24亿美元建设3座大型 3D NAND闪存制造工厂,一号工厂预计将于2018年正式开始生产,月产能约为30万片晶圆;最后,位于合肥的睿力集成电路公司,也购买了一批DRAM生产设备。

Robert Castellano认为,内存平均售价呈现下滑、大陆发改委和三星签署备忘录、三星 NAND 闪存扩充产能量减少、中国大陆厂商完成内存生产工厂设置、苹果下修iPhone X 产量等五大迹象据显示内存芯片的“超级循环”将结束。

日经新闻引援JP摩根证券的执行董事森山久史表示,“NAND型闪存将进入调整期”。森山认为,伴随各家制造商良品率提高,NAND型闪存的供应量出现增加,与2017年相比供应短缺的情况将有所缓解。

DIGITIMES则指出,虽然半导体产业认为,全球储存设备需求持续成长,NAND存储器市场目前只是进行短期调整,中长期还是会止跌回升,但存储器市场是先前涨得越凶、后面就跌得越深,加上新产品良率总不易拉高,如果又与市场景气下滑重迭,2018年的业绩实不容乐观。

本文综合自日经新闻、钜亨网、DIGITIMES报道

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