据 Digitimes 最新消息,三星位于 Pyeongtaek平泽的NAND Flash晶圆厂在3月9日出现停电事故,停电时间持续半小时。市场观察人士称,三星平泽NAND厂一层楼一个月约有9万片产出,在三星NAND Flash晶圆厂半小时停电期间,大约5000-6000片晶圆被损坏,3月份受损的晶圆相当于三星整体NAND Flash产量的11%左右,TechNews 预计损失相当于3月份的全球供应的3.5%左右。

三星方面则表示,虽然NAND Flash晶圆厂停电约半小时,但备用电源(设计为20分钟)的有效启动应对了突发状况,所以不会对NAND Flash运营造成显著影响。

DRAMeXchange数据显示,NAND Flash市场在2018年第一季度出现了轻微的供过于求的局面,这是因为去年缺口明显时,主要NAND Flash晶圆厂均加码提升产能和良率,同时主要供货商亦提高3D NAND Flash的产量,加上终端市场需求增长因季节性因素而放缓,NAND合约定价保持平稳或略有下降。

至于受三星停电事故的影响,行业消息人士称这一事件或能在未来几周影响整体市场供应和价格。但其实目前NAND市场依旧处于小幅度的供给过剩,加上三星本身有足够库存可以支应,所以即使发生短时间跳电事件,业界普遍认为对于近期市场供需影响不会很明显。

另一方面,自去年底开始出现的NAND供给过剩问题,市场通路端历经超过一季的库存去化之后,现阶段通路库存水位已经明显偏低,加上市场需求有缓步回温迹象,为此,内存业者提到,原先第三季才有可能出现的供不应求压力,有机会慢慢在今年5月或是6月间就看得到。

(国际电子商情微信ID:esmcol,本文综合财讯快报、电脑领域报道)

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