英特尔日前在官网宣布,与美光的闪存合作即将发生关键性变化,具体内容则是双方将会在2018年继续研究第三代3D NAND的研发与生产,并且将持续到2019年年初,在此之后双方将不再合作。

目前,英特尔和美光正在进行第二代64层3D闪存的增产工作,所以近期内不会出现太多的合作变动。

两家公司已经同意在这一技术节点之后,双方将独立开发3D NAND,以便更好地为各自的业务需求优化技术和产品。

Intel强调,这次“分手”是双方同意的,独立之后二者将能抽出更多精力优化自身产品并提供更好的服务给客户,分开之后不会对路线图和技术节点造成影响。

“英特尔和美光科技建立了成功的长期合作关系,令双方受益匪浅。现在,NAND 开发合作关系已经发展到了适当阶段,是时候让两家公司致力于各自专注的市场。”英特尔非易失性存储解决方案部门高级副总裁兼总经理 Rob Crooke 说,“我们的 3D NAND 和 Optane 技术路线图为客户应对当下的众多计算和存储需求提供了强大的解决方案。”

“美光与英特尔的合作由来已久,我们期待在未来各自进行 NAND 开发的同时继续就其他项目与英特尔合作。”美光科技技术开发执行副总裁 Scott DeBoer 说,“我们3D NAND 技术的开发路线图非常稳固,计划在我们业界领先的 3D NAND 技术基础上,将极具竞争力的产品推向市场。”

Intel和镁光的合作可以追溯到2005年。当时双方成立了合资企业IM Flash Technologies(IMFT),孕育的首批产品是72nm NAND。2012年,Intel把多数IMFT工厂的股份卖给了美光,只保留Lehi这一个据点。

此后,双方就开始各自兴建自己的生产线,开始生产一些自家品牌的存储产品。美光独自建立Fab工厂生产NAND Flash,并提供NAND Flash给英特尔,研发工作仍然是两家聚集在Lehi工厂共同进行。

另外,英特尔和美光两家公司将继续共同运营犹他州的Lehi工厂,该工厂主要是负责3D XPoint的研发与生产,所以即使双方停止了3D NAND的合作,也不会影响3D XPoint技术的发展和制造。

据AnandTech分析,Intel和美光的市场属性不同,Intel只愿意将美光提供的闪存给自己的SSD用,而美光则急于参与全球竞争,想把闪存卖给更多客户,尤其是手机厂商,这或许是“分手”的主要原因。

AnandTech猜测,也可能是 NAND 堆叠层数破百之后,需要调整 String Stacking 的堆叠方式,两家公司对此看法不同,因而分手。

另一个可能是,目前 3D NAND 的生产主流是电荷储存式(Charge trap) ,三星电子等都采用此一方式,英特尔/美光是唯一采用浮闸(floating gate)架构的业者。也许是两家公司中有一家想改采电荷储存式架构,但是此举等于坦承失败,代表从2D NAND 转换成 3D NAND 后,续用浮闸是错误决定,因而闹翻。

对普通消费者来说,这次“分手”具有很多积极的意义。内存市场今后产品更拓宽,新的技术也应该会更快推出,多头竞争应使内存的价格更趋于合理。

本文综合自中国闪存市场、电脑之家、存储在线报道

二维码