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Vishay推出优异导通性的100V汽车级P沟道MOSFET

《国际电子商情》1月11日讯,Vishay宣布推出新款通过AEC-Q101认证的100Vp沟道TrenchFET® MOSFET——SQJ211ELP,用以提高汽车应用功率密度和能效。该器件不仅是业内首款鸥翼引线结构5mm x 6mm 紧凑型PowerPAK® SO-8L封装器件,而且10V条件下其导通电阻仅为30mW,达到业内优异水平。

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据悉,日前发布的新款汽车级MOSFET与最接近的DPAK和D2PAK封装竞品器件相比,导通电阻分别降低26%和46%,占位面积分别减小50%和76%。SQJ211ELP低导通电阻有助于降低导通功耗,从而节省能源,10V条件下优异的栅极电荷仅为45nC,减少栅极驱动损耗。WDXesmc

这款新型MOSFET可在+175℃高温下工作,满足反向极性保护、电池管理、高边负载开关和LED照明等汽车应用牢固性和可靠性要求。此外,SQJ211ELP鸥翼引线结构还有助于提高自动光学检测(AOI)功能,消除机械应力,提高板级可靠性。WDXesmc

该器件100V额定值满足12V、24V和48V系统多种常用输入电压轨所需安全裕度。此外,作为p沟道MOSFET,SQJ211ELP可简化栅极驱动设计,无需配置n沟道器件所需电荷泵。MOSFET采用无铅(Pb)封装、无卤素、符合RoHS标准,经过100 % Rg和UIS测试。WDXesmc

SQJ211ELP现可提供样品并已实现量产,供货周期为14周。WDXesmc

*国际电子商情对文中陈述、观点判断保持中立,不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。WDXesmc

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