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Qorvo推出GaN PA偏置参考设计ACT41000-104-REF1

这是一款 GaN 功率放大器 (PA) 偏置参考设计,可加强 Qorvo GaN PA 的设计与测试。

中国北京 – 2022 年 6 月 14日–移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®, Inc.今日宣布推出 ACT41000-104-REF1,这是一款 GaN 功率放大器 (PA) 偏置参考设计,可加强 Qorvo GaN PA 的设计与测试。2B3esmc

GaN 器件是耗尽型 FET,运行时需要施加负栅极电压。在使用 GaN PA 的系统中,需要以特定的顺序进行偏置:提高漏极偏置电压之前,必须施加负栅极电压,以保护器件免受损坏。2B3esmc

Qorvo 的 ACT41000-104-REF1 内置可配置性,可实现多种 GaN PA 偏置并自动校准系统。它集成了功率 MOSFET 和电流数模转换器,方便器件精准检测 PA 静态漏极电流。此设计采用电源管理,对 GaN 偏置流程进行简化。2B3esmc

ACT41000 可在 4.5 到 40 V 的输入电压下运行;在 4 A 电流下,可生成最高达 24 V 的稳定可调的输出电压,变化幅度为 12.5 mV。ACT41000 带有评估平台和 GUI,可帮助客户调节输出漏极电压、静态和最大漏极电流、PA 器件电流,以及电压保护、开关频率和其他功能,从而优化 GaN PA 性能。2B3esmc

在用户接通系统电源后,将会自动执行此流程进行自动调试,防止因为老化或剧烈温度波动造成故障,因而可降低测试难度,提升自动化水平。ACT41000 内置可配置性,可为不同市场(包括卫星通信、5G、雷达等)内的各种 Qorvo GaN PA 提供偏置。2B3esmc

Qorvo 可编程电源管理产品高级主管 David Briggs 表示:“Qorvo 致力于为客户和供应商简化实际解决方案的设计和测试。这款全新产品集成了 Qorvo 功率产品与 GaN 产品组合,是我们产品组合扩展计划的一部分。”2B3esmc

Qorvo 是应用集成产品(如 ACT41000)市场的领军企业。观看视频教程,了解 ACT41000 如何经过专门设计从而与Qorvo 行业领先的 GaN 产品进行集成。2B3esmc

有关 Qorvo 解决方案、公告和会谈咨询的更多信息,请访问 Qorvo IMS 2022 专题页面。2B3esmc

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