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华存首款自研12纳米制程PCIe Gen5存储控制芯片进入流片

江苏华存电子历时4年研发的HC9001 SSD控制芯片完成研发并进入流片,是国内首款自研12纳米制程PCIe Gen5存储控制芯片。

近年来,存储芯片在整个半导体市场占比不断扩大,源自大数据、云计算、AI和智能物联等应用的落地爆发。无论是消费者对影音娱乐的需求还是企业对数据价值的挖掘,又或是新业态新场景中更高性能效能的存储需求,都需要存储做到更快、更稳定、更节能。ts5esmc

加快推进存储行业技术迭代,突破选择存储产品的限制,江苏华存电子用具有全球性视野与核“芯”创新力“出海”布局PCIe5企业级存储。ts5esmc

江苏华存电子成立于2017年,是一家提供存储控制芯片、存储方案及存储成品模块,集研发与生产制造能力为一体的高新技术企业。团队由软硬固件资深工程师组成,在存储芯片与模块产品规格定义、芯片架构设计、软硬固件偕同开发与验证、闪存支持与调试、芯片/方案/系统效能优化等方面拥有丰富的实操经验。ts5esmc

正是在这样的团队支持下,江苏华存电子历时4年研发的HC9001 SSD控制芯片完成研发并进入流片,是国内首款自研12纳米制程PCIe Gen5存储控制芯片ts5esmc

依循自主研发的政策指导,针对5G+AI算力提升海量数据处理需求下的云/边/端的存储使用场景,HC9001独创硬固件融合XSDirectA架构,接口速度提升至128Gbps,融合自研的第二代4K-LDPC闪存纠错算法,以兼顾提升QoS质量与传输速率峰值;加入国密算法与AI调适功能,层层加固安全升级,提升数据安全存储能力,构建更多元的全国产化存储主控芯片。灵活适用于如开放架构、软件定义架构等不同服务器架构的云端、数据中心、企业、边缘运算服务器群及高速计算机等应用市场。ts5esmc

全球半导体观察
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