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国星光电宣布推出新型MIP封装器件方案

Micro LED凭借低能耗、高亮度、高对比度及高可靠性的特性,满足AR/VR、智能手表、大屏电视等各种像素密度和各种尺寸显示的需求。随着LED芯片面积不断减小,单位面积晶圆利用率大幅提高,也意味着LED芯片成本不断下降。

经对比,单片4英寸晶圆可以生产约350K数量的0408(4mil*8mil)芯片,当芯片面积尺寸缩小至0204(2mil*4mil)时,同样的晶圆面积下大约可产出1400K数量的芯片,这使得单个芯片成本下降60%以上。GUEesmc

Micro LED凭借多项优势特点,迎来蓬勃的发展,但如何让技术实现成果转化,在市场上占有一席之地,关键还在于如何平衡产品性能与成本的关系。为更好地发展Micro LED,国星光电7月6日宣布,推出新型MIP(Micro LED in Package)封装器件方案。GUEesmc

据介绍,新型MIP封装器件方案基于扇出封装技术思路,国星光电通过自主开发的巨量转移方法,采用黑化基板与高光提取封装路线构筑全新MIP器件,大幅提高器件光电性能,通过将引脚电极放大,使其匹配当前机台设备,具有成本低、高亮度、低功耗、兼容性强、可混BIN提高显示一致性等优点。GUEesmc

国星光电介绍,MIP显示模组一致性高,黑占比超99%,采用特殊光学设计,水平视角≥174°,兼容性强,可兼容当前设备机台,可完成测试分选、易检测修复,更易将Micro LED应用于终端市场。GUEesmc

国星光电表示,公司始终坚持创新驱动战略,瞄准行业趋势,深耕技术产品,如今,5G+4K/8K浪潮迭起,新型显示极速发展,公司定将紧抓机遇,乘着“十四五”规划和粤港澳大湾区腾飞发展,大力发展以Mini/Micro LED等为代表的新型显示技术。      GUEesmc

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TrendForce集邦咨询旗下光电研究处。研究领域包括MicroLED、MiniLED、照明、显示屏、紫外线(UV LED)、红外线 (IR LED/VCSEL)、化合物半导体等。
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