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DDR3/DDR4/DDR5现抛货潮,预估整体大幅度跌价

DRAM仍有大幅跌价空间;NAND Flash整体盘势疲软滑落;TF卡整体成交情况较为惨淡。

各工厂皆面临库存调节作业,但在原厂供货充足情况下,让库存消化速度更加缓慢,现货供应之跌价策略完全无法带动吸引买盘,因此更出现抛货潮,该抛货不仅出现在DDR3/DDR4,连DDR5都无法幸免,预估整体价格仍有大幅度的跌价空间。QqUesmc

DRAM:仍有大幅跌价空间

DDR4 1Gx8 2666/3200部分,SK Hynix DJR-XNC报价落在USD3.0x,CJR-XNC报价同样落在USD3.0x上下;Samsung WC-BCTD现货报价跌落至USD2.9x左右,SK Hynix CJR-VKC在无实单支撑下,报价下滑至USD3.4x。QqUesmc

DDR4 512x8 2400部分,Samsung 2400 WE-BCRC价格为USD1.82,WF-BCTD价格为USD1.8x左右;SK Hynix BJR-VKC现货价格维持在USD2.47。QqUesmc

DDR4 512x16 2666部分,SK Hynix CJR-VKC报价为USD3.4x;Samsung WC-BCTD维持在USD2.77。QqUesmc

DDR4 256x16部分,Samsung WE-BCRC价格在USD1.8x,WF-BCTD报价仍落在USD1.56-1.66附近。QqUesmc

模组现货价格参考:QqUesmc

KST DDR4 8G 2666 $22.50QqUesmc

KST DDR4 16G 2666 $43.00QqUesmc

KST DDR4 8G 3200 $23.00~23.35QqUesmc

KST DDR4 16G 3200 $45.00QqUesmc

KST DDR4 32G 3200 $88.00QqUesmc

NAND Flash:整体盘势疲软滑落

受制于SSD需求萎缩及wafer卖压等多方因素造成供需双方态度消极被动,供应端持续释出低价以求套现,工厂端则因终端需求明显萎缩大多不愿积极备货,颗粒卖压大量涌现,除了特定品牌颗粒仍受零星急单影响,询单表现相对稳定,卖方仍主动释出低价迎合,但双方交集有限,实际交易情况仍表现不佳,盘势呈现疲软滑落姿态。QqUesmc

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其中,Samsung SLC 2G/4G零星询单,买方购货意愿保守,且订单仍在确认当中,并未有实际议价动作,盘势微幅振荡。QqUesmc

SK Hynix SLC颗粒4G部分有询单释出,市场报价微幅振荡,但需求力道有限,无法带动整体颗粒买气,其余颗粒表现较不理想,价格随大盘波动。QqUesmc

Micron SLC颗粒报价大致持平,虽一度受大盘影响,微幅修正,但因现货供应量不足,价格随后趋向平稳,交易情况不甚明朗。QqUesmc

Kioxia SLC颗粒跌幅趋缓,供应端采取被动议价,相对低价部位虽有些许询单,仍被到货卖压影响,目标价格偏离行情甚多,最终难以成交。QqUesmc

TF卡:整体成交情况较为惨淡

本周TF卡表现冷清,终端需求未见好转,买方对市场信心持续消减,多数保持观望谨慎态度,供应端主动释出降价空间,需求动能仍表现停滞,整体成交情况较为惨淡。QqUesmc

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