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存储巨头DRAM厂跳电,会扭转存储器供过于求现况吗?

美光(Micron)位于Hiroshima的日本厂于7月8日发生跳电意外。据市调机构TrendForce调查,以第三季产能来看,该厂月产能占美光月产能约30%;若以全球产能来看,投片占比则约7%...

主要投产制程为1Z nm,其投片比重为50%以上,其次为1Y nm,占比亦有接近35%。PNsesmc

由于跳电发生时机台亦同时启动不断电系统,但因压降的影响,机台需要重启与检查,而跳电时间约5~10分钟,故受影响的产能有限。PNsesmc

该厂主要是R&D的研发中心,下一代制程1beta nm亦将优先于该厂内投产。而观察其产品类别,现阶段以产出智能手机相关的mobile DRAM为主。PNsesmc

机构同时表示,自年初起地缘冲突、高通胀导致全球消费性电子需求疲弱,使得各原厂的存储器库存皆位于较高水位,且跳电对美光产能影响较低,美光亦能使用其库存来满足客户端的需求,故对整体DRAM供需市场并无造成冲击。PNsesmc

此外,该机构同步观察到,向来对市况会有实时反应的现货市场,在跳电发生至今,并未有需求增加,或是发生客户急单的市场反应,价格端完全没有发出止跌讯号,故预估此次跳电并不会扭转存储器供过于求的现况。PNsesmc

机构将维持原来对下半年的价格预估,意即第三季DRAM价格将季跌约10%。‍PNsesmc

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