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半导体巨头正加大SiC、GaN投资力度

英飞凌和博世正开始加速碳化硅与氮化镓的研发与制造。

随着新能源电动企业的快速发展,全球各大车企和半导体厂商都将目光瞄准以碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)为代表的的第三代半导体领域。v6Qesmc

近日,全球半导体巨头英飞凌和博世正开始加速碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的研发与制造。v6Qesmc

博世加码碳化硅,瞄准氮化镓

7月13日,博世公司宣布,将在2026年前投资30亿欧元用于投资半导体业务。v6Qesmc

博世集团董事会主席斯特凡·哈通表示,作为投资的一部分,将投入1.7亿欧元在德国罗伊特林根和德累斯顿建立两个全新的芯片研发中心,投入2.5亿欧元用于扩大其在德累斯顿的晶圆厂,增设3000平方米的无尘车间。v6Qesmc

据介绍,博世自2021年底起就在罗伊特林根工厂大规模量产碳化硅芯片,以应用于电动和混动汽车的电力电子器件中。碳化硅芯片可帮助电动汽车延长6%的续航里程。v6Qesmc

此外,为了让电力电子器件价格更低、效率更高,博世还将探索开发可应用于电动汽车的氮化镓芯片,与传统的硅基功率芯片相比,氮化镓芯片的功率损耗可以减少4倍。v6Qesmc

总投资超120亿,英飞凌新厂奠基 

近日,英飞凌马来西亚居林第三工厂举行奠基仪式,该项目总投资额超过80亿令吉(约合121.2亿元人民币),将用于第三代半导体碳化硅、氮化镓产品生产,预计2024年第三季度开始量产。v6Qesmc

英飞凌首席运营官Rutger Wijburg表示,公司在居林地区的前道晶圆制造基地已形成规模优势,第三工厂达产后,将贡献20亿欧元新增产值,也将使英飞凌更好满足功率半导体需求增长。v6Qesmc

今年年初,英飞凌宣布,将在位于马来西亚居林的工厂建造第三个厂区,以提高在第三代半导体(碳化硅和氮化镓)领域的制造能力。v6Qesmc

事实上,英飞凌正在集中火力发展第三代半导体。截止今年2月,英飞凌已向3,000多家客户提供基于碳化硅的半导体产品。英飞凌计划到本世纪20年代中期,将碳化硅功率半导体的销售额提升至10亿美元。v6Qesmc

英飞凌此前曾透露,将在未来几年把奥地利菲拉赫的6英寸、8英寸硅基半导体生产线改造为第三代半导体生产线。v6Qesmc

  文章来源:全球半导体观察整理v6Qesmc

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