向右滑动:上一篇 向左滑动:下一篇 我知道了
广告

韩媒报道三星DDR6内存已经投入研发,2024年面世

据韩国媒体报道,三星DDR6内存已经投入研发,并预计在2024年之前完成设计。

报道称,三星负责测试和系统封装(TSP)的副总裁在韩国水原的一次研讨会上透露,随着未来内存本身性能的扩大,封装技术也需要不断发展。该公司证实,它已经处于下一代DDR6内存的早期开发阶段,将采用MSAP(改良半加成法)封装技术。4neesmc

根据三星的说法,MSAP已经被其竞争对手(SK海力士和美光)用于DDR5。4neesmc

那么,MSAP有什么新特点呢?4neesmc

据介绍,MSAP修正后的半加成工艺允许DRAM制造商创建具有更精细电路的内存模块。这是通过在以前未被触及的空位上涂抹电路图案来实现的,这样可以实现更好的连接和更快的传输速度。下一代DDR6内存不仅将利用MSAP来加强电路连接,而且还将适应DDR6内存中增加的层数。4neesmc

三星预计,其DDR6设计将在2024年之前完成,但预计2025年之后才会有商业使用的可能。就规格而言,DDR6内存将是现有DDR5内存的两倍,传输速度可达12800Mbps(JEDEC),超频后的速度可超过17000Mbps。4neesmc

目前,三星最快的DDR5 DIMM的传输速度为7200Mbps,在JEDEC标准下提高了1.7倍,在下一代内存芯片的超频速度下提高了2.36倍。4neesmc

文章来源及版权属于全球半导体观察,国际电子商情仅作转载分享,对文中陈述、观点判断保持中立,不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。如有疑问,请联系Elaine.lin@aspencore.com
全球半导体观察
专注于半导体晶圆代工、IC设计、IC封测、DRAM、NAND Flash、SSD、移动装置、PC相关零组件等产业,致力于提供半导体产业资讯、行情报价、市场趋势、产业数据、研究报告等。
  • 微信扫一扫,一键转发

  • 关注“国际电子商情” 微信公众号

最新快讯

可能感兴趣的话题