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【现货行情】DRAM价格上涨、NAND Flash悲观、TF卡价格疲软

DRAM:三星DDR3/DDR4颗粒价格上涨;NAND Flash:市场氛围表现悲观;TF卡:市场价格表现疲软。

DRAM:三星DDR3/DDR4颗粒价格上涨

前半周需求依然集中在三星品牌颗粒,DDR4/DDR3皆因实际需求而上涨,即便短期补货潮带动价格波动,随时序即将进入月底,到货因素将影响着现货价格重归跌价走势,整体市况扭转力道有限。fA7esmc

DDR4 1Gx8 2666/3200部分,Samsung WC-BCWE价格在下半周已回落至USD2.50,WC-BCTD市场价格则是坚持在USD2.45左右。fA7esmc

DDR4 512x8 2400部分,Samsung WE-BCRC价格为USD1.6x,WF-BCTD订货报价落在USD1.45上下。fA7esmc

DDR4 512x16 2666/3200部分,SK Hynix CJR-VKC报价维持在USD2.75附近;Samsung WC-BCWE价格落在USD2.48~2.50,WC-BCTD一般报价为USD2.40。fA7esmc

DDR4 256x16部分,Samsung WE-BCRC价格下滑至USD1.50上下,WF-BCTD亦出现价格下滑情况,落在USD1.45附近。fA7esmc

模组现货价格参考:fA7esmc

KST DDR4 8G 2666 $19.80fA7esmc

KST DDR4 16G 2666 $39.50fA7esmc

KST DDR4 8G 3200 $20.30fA7esmc

KST DDR4 16G 3200 $40.50fA7esmc

NAND Flash:市场氛围表现悲观

本周NAND Flash市场供需双方皆积极调整报价,降低库存,工厂端态度仍保守观望以致进场承接意愿偏低,仅在SLC特定料号有零星询价,其余颗粒表现皆不明朗;eMMC部分亦受到wafer卖压、官价调降及急单需求结束所造成的多方效应影响,市场报价出现明显下滑,相对低价部位虽有些许承接,但仍止不住跌势下探,SSD成品表现断断续续,Good die颗粒无法消除wafer卖压,整体市场氛围表现悲观。fA7esmc

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其中,Samsung SLC需求减缓,低价部位承接意愿偏低,实际成交量明显缩减许多。 fA7esmc

SK Hynix SLC需求表现不佳,所幸现货库存量有限,供应量相对不足,市场报价虽随大盘微幅修正,但并未出现较明显跌幅,仅小幅振荡后趋缓。fA7esmc

Micron SLC价格表现相对稳定,但因市场氛围仍不理想,仍有些许议价空间,供需双方未有交集,未见明显成交。fA7esmc

Kioxia SLC部分供应端及工厂持续调整库存,虽未有主动降价动作,但整体盘势仍呈现疲软,保留议价空间,但实际情况不佳。fA7esmc

TF卡:市场价格表现疲软

本周TF卡表现平淡,市场动能缓慢,整体需求依然不振,买家问价动作零星,市场价格表现疲软,持续呈现下滑趋势,低价位部分买家承接意愿保守,整体成交情况不明朗。fA7esmc

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