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三星官宣第8代V-NAND量产

11月7日,三星电子宣布已开始量产三星产品中具有最高存储密度的1Tb(太字节)三级单元(TLC)第8代V-NAND。

1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度,可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。zoMesmc

据介绍,三星第八代V-NAND采用3D缩放(3D scaling)技术,不仅可以减少表面积并降低高度,同时避免了缩小时通常会发生的单元间的干扰。zoMesmc

通过3D缩放技术,三星可显著提升每片晶圆的存储密度。基于最新NAND闪存标准Toggle DDR 5.0接口的三星第8代V-NAND,其输入和输出(I/O)速度高达2.4Gbps(千兆比特每秒),相比上一代提升了1.2倍,可以满足PCIe 4.0和更高版本PCIe 5.0的性能要求。zoMesmc

三星表示,第8代V-NAND有望成为存储配置的基石,帮助扩展下一代企业服务器的存储容量,同时其应用范围还将拓展至可靠性尤为重要的车载市场。zoMesmc

据悉,三星此前在2022年科技日上首次推出了512Gb TLC第8代V-NAND,位密度提高了42%,并表示全球最高容量的1Tb TLC V-NAND将于今年年底向客户提供。zoMesmc

作为全球最大的NAND Flash厂商,三星预计,到2030年,NAND闪存堆叠层数将超过1000层,以更好地支持未来的数据密集型技术。zoMesmc

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