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聚焦功率半导体,英飞凌与这家国内厂商达成合作

英飞凌宣布与深圳英飞源技术(Infypower)合作,其将为Infypower提供业界领先的1200VCoolSiC™MOSFET功率半导体器件,以提高电动汽车充电站的效率。

据介绍,通过集成英飞凌的1200 V CoolSiC MOSFET,Infypower的30 kW直流充电模块提供宽广的恒定功率范围、高功率密度、最小的电磁辐射和干扰、高防护性能和高可靠性。ABxesmc

SiC的高功率密度有助于开发高性能、轻量化、紧凑型充电器,特别是超级充电站和超紧凑壁挂式直流充电站。与传统的硅基解决方案相比,电动汽车充电站中的碳化硅技术可将效率提高1%,从而减少能源损失和运营成本。对于一个100kW 的充电站来说,这相当于节省1kWh 的电量,每年节省270欧元,减少碳排放3.5 吨。ABxesmc

根据TrendForce集邦咨询分析,随着Infineon、ON Semi等与汽车、能源业者合作项目明朗化,将推动2023年整体SiC功率元件市场规模达22.8亿美元,年成长41.4%。ABxesmc

与此同时,受惠于下游应用市场的强劲需求,TrendForce集邦咨询预期,至2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元,其主流应用仍倚重电动汽车及可再生能源。ABxesmc

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责编:Elaine
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