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存储大厂新动作,2024年大量出货HBM3E

近期,美光首席执行官Sanjay Mehrotra透露,美光计划于2024年初开始大量出货HBM3E。

据悉,美光HBM3E目前正在进行英伟达认证,首批HBM3E采用8-Hi设计,提供24GB容量和超过1.2TB/s频宽。公司计划于2024年推出超大容量36GB 12-Hi HBM3E堆叠。此前美光曾透露,预计2024年新的HBM将带来「数亿」美元的收入。3jdesmc

无独有偶,另一家存储大厂三星近期也公布了HBM新进展。据三星电子副社长、DRAM产品与技术团队负责人黄尚俊透露,三星电子已开发出9.8Gbps的HBM3E,计划开始向客户提供样品。同时,三星正在开发HBM4,目标2025年供货。据悉,三星电子正开发针对高温热特性优化的非导电粘合膜(NCF)组装技与混合键合(HCB)等技术,以应用于HBM4产品。3jdesmc

AI热潮之下,HBM成为存储器市场“新宠”,三大原厂正积极布局。3jdesmc

全球市场研究机构TrendForce集邦咨询表示,两大韩厂SK海力士、三星先从HBM3开发,代表产品为NVIDIA H100/H800以及AMD的MI300系列,两大韩厂预计于2024年第一季送样HBM3e;美系原厂美光则选择跳过HBM3,直接开发HBM3e。3jdesmc

HBM3e将由24Gb mono die堆栈,在8层(8Hi)的基础下,单颗HBM3e容量将一口气提升至24GB,此将导入在2025年NVIDIA推出的GB100上,故三大原厂预计要在2024年第一季推出HBM3e样品,以期在明年下半年进入量产。3jdesmc

责编:Elaine
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