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预估2023年中国大陆成熟制程产能占比约29%,2027将扩大至33%

据TrendForce集邦咨询统计,2023~2027年全球晶圆代工成熟制程(28nm及以上)及先进制程(16nm及以下)产能比重大约维持在7:3。

中国大陆由于致力推动本土化生产等政策与补贴,扩产进度最为积极,预估中国大陆成熟制程产能占比将从今年的29%,成长至2027年的33%,其中以中芯国际(SMIC)、华虹集团(HuaHong Group)、合肥晶合集成(Nexchip)扩产最为积极。mOKesmc

扩产聚焦在Driver IC、CIS/ISP与Power Discrete等特殊工艺

Driver IC方面,主要采用HV(High Voltage)特殊工艺,各家业者近期聚焦40/28nm HV制程开发,而目前市场制程技术较领先的业者是联电(UMC),其次是格芯(GlobalFoundries)。不过,中芯国际28HV、合肥晶合集成40HV将先后于今年第四季、明年下半年进入量产阶段,并与其他晶圆代工业者的技术差距逐渐缩小,尤其制程能力与产能相当的竞争者如力积电(PSMC),或暂无十二英寸厂的世界先进(Vanguard)、东部高科(DBHitek)短期内将首当其冲;对联电、格芯中长期来看也将造成影响。mOKesmc

CIS/ISP方面,3D CIS结构包含逻辑层ISP与CIS感光层,主流制程大致以45/40nm为分水岭,逻辑层ISP制程将持续往更先进节点发展;CIS感光层与FSI/BSI CIS则以65/55nm及以上为主流。目前技术领先业者以台积电(TSMC)、联电、三星(Samsung)为主,但中芯国际、合肥晶合集成紧追其后,除持续追赶制程差距,产能也受惠中国智能手机品牌OPPO、Vivo、小米(Xiaomi)等支撑,加上陆系CIS业者OmniVision、Galaxycore与SmartSens响应政府政策,陆续将订单移回中国大陆进行投产支撑。mOKesmc

Power Discrete(功率元件)方面,主要涵盖MOSFET与IGBT两种产品,世界先进、HHGrace深耕Power Discrete制程已久,制程平台及车规验证覆盖完整性皆较其他同业更高。而受惠于大陆电动车补贴政策以及铺设太阳能相关基础建设,陆系晶圆代工业者据此获得更多切入机会,包含主流代工厂HHGrace、中芯国际、合肥晶合集成、CanSemi在内的业者,加上本土小型的Power Discrete IDM、晶圆厂如GTA及CRMicro等均加入Power Discrete竞争行列。若大陆产能同时大量开出,将加剧全球Power Discrete代工竞争压力。mOKesmc

整体而言,中国大陆透过积极招揽海外及境内IC设计业者投产或研发新品,目的为提高本土化生产的比例,但大幅扩产的结果可能造成全球成熟制程产能过剩,且随之而来的将会是价格战。TrendForce集邦咨询认为,中国大陆成熟制程产能陆续开出,针对Driver IC、CIS/ISP与Power discrete等本土化生产趋势将日渐明确,具备相似制程平台及产能的二、三线晶圆代工业者可能面临客户流失风险与价格压力,技术进展和良率将是后续巩固产能的决胜点。mOKesmc

责编:Elaine
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