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格芯获美国3500万美元补贴

近日,格芯宣布已获得美国提供的3500万美元联邦资金,以加速其位于佛蒙特州EssexJunction的工厂在硅半导体上制造差异化氮化镓(GaN)芯片。

格芯佛蒙特州半导体制造工厂表示,继续朝着大规模生产用于航空航天和国防、蜂窝通信、工业物联网和汽车的下一代氮化镓芯片迈进。Wjmesmc

格芯总裁兼CEO Thomas Caulfield表示:“硅基氮化镓是新兴市场高性能射频、高压功率开关和控制应用的理想技术,对于6G无线通信、工业物联网和电动汽车非常重要。”Wjmesmc

格芯计划购买更多设备来提升开发和原型设计能力,向大规模200mm硅基氮化镓半导体制造迈进。作为投资的一部分,格芯计划实施新的能力,以减少格芯及其客户面临镓供应链限制的风险,同时提高氮化镓芯片的开发速度、供应保证和竞争力。Wjmesmc

资料显示,氮化镓因具备宽禁带、高频率、低损耗、抗辐射强等优势,可以满足各种应用场景对高效率、低能耗、高性价比的要求,因此受到了市场密切关注。Wjmesmc

当前,氮化镓的应用已经不再局限于快充等消费电子市场,而是向数据中心、可再生能源甚至新能源汽车市场持续推进。Wjmesmc

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据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询调查显示,到2026年,全球GaN功率元件市场规模将从2022年的1.8亿美金成长到13.3亿美金,复合增长率高达65%。Wjmesmc

强大的市场需求下,包括格芯、英飞凌、DB Hi-Tech、三安光电、华润微等众多半导体厂商开始扩充生产线,布局氮化镓市场。未来,氮化镓成长空间广阔。Wjmesmc

责编:Elaine
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