向右滑动:上一篇 向左滑动:下一篇 我知道了
广告

三星明年将推300层以上V-NAND

存储器大厂三星分享V-NAND(即3DNAND)发展计划,证实2024年将生产超过300层的第九代V-NAND闪存,这将是业界最高层数。

三星总裁暨存储器事业部负责人Jung-bae Lee 在博客中写道,第九代V-NAND基于双层结构,层数将达到业界最高水平,将于明年初量产。fCHesmc

三星正开发超过300 层的第九代 V-NAND,保留三星 2020 年首次采用的双层堆叠技术。三星不仅证实非挥发性存储器已步入正轨,其层数有望超过竞争对手。fCHesmc

Jung-Bae Lee 指出,三星还在研究下一代具价值的技术,包括最大限度提高 V-NAND 输入/输出 (I/O) 速度的新结构。fCHesmc

虽然还不知道三星第 9 代 V-NAND 性能如何,但根据外媒报道,三星在即将推出的 SSD 中使用这种闪存。届时,就能看到三星采用 PCIe Gen5 接口的零售 SSD——三星 990 Pro 系列后续产品。fCHesmc

报道指出,三星现在致力于大幅减少单元干扰、降低高度和最大限度地增加垂直层数,以实现业内最小单元尺寸。这些创新有助于推动三星实现创建1,000层以上3D NAND和闪存解决方案,确保产品适用于数据中心、PC等应用。fCHesmc

责编:Elaine
文章来源及版权属于全球半导体观察,国际电子商情仅作转载分享,对文中陈述、观点判断保持中立,不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。如有疑问,请联系Elaine.lin@aspencore.com
全球半导体观察
专注于半导体晶圆代工、IC设计、IC封测、DRAM、NAND Flash、SSD、移动装置、PC相关零组件等产业,致力于提供半导体产业资讯、行情报价、市场趋势、产业数据、研究报告等。
  • 微信扫一扫,一键转发

  • 关注“国际电子商情” 微信公众号

最新快讯

可能感兴趣的话题