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三星电子EUV曝光技术取得重大突破

三星电子在EUV曝光技术取得重大进展,韩媒BusinessKorea报道,三星电子DS部门研究员Kang Young-seok表示,三星使用的EUV光罩掩膜(EUV pellicles)透光率(transmission rate)已达90%,计划再提高至94-96%。

EUV光罩掩膜(Pellicle)是光罩上的薄膜,保护光罩免于微尘或挥发性气体的污染,使EUV顺利传输。光罩掩膜也是EUV曝光时的关键零件,目的是增加芯片生产良率,减少光罩使用时的清洁和检验。kmgesmc

三星今年初声称已开发出透光率达88%的EUV光罩掩膜,且这款产品已经可以量产,而Kang表示三星EUV掩膜透光率再度增加,达到90%。其中,透光率90%的意思是只有90%进入薄膜的光线能到达光罩,这可能会影响电路图案的精度。这比更常见的氟化氩(ArF)制程中使用的薄膜透光率(99.3%)还低。kmgesmc

当EUV光罩掩膜在250瓦光源下操作时,每平方公分会产生的5瓦热量,导致温度高达680℃以上,因此除了降低光源衰退外,还必须解决光罩掩膜在EUV过程中遇到的翘曲或断裂等散热问题。kmgesmc

据报道,三星已主要客户的部分先进EUV代工生产线上导入EUV光罩掩膜。虽然三星也在DRAM生产线中采用EUV制程,但考虑到生产率和成本,该公司认为即使没有光罩掩膜也可以进行存储器量产。kmgesmc

EUV光罩掩膜目前有ASML、三井化学(Mitsui Chemicals)、信越化学、S&S Tech、FST等业者跨足,但据Kang透露,三星并没有使用韩国国内供应商提供的EUV光罩掩膜,而是与日本三井化学合作,为唯一供应商。kmgesmc

虽然FST和S&STech等韩国公司正积极开发EUV光罩掩膜,但还没实现量产。相比之下,台积电早在2019年开始使用自行开发的光罩掩膜,并已在7nm以下制程的生产线使用。kmgesmc

责编:Elaine
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