向右滑动:上一篇 向左滑动:下一篇 我知道了
广告

大阪公立大学GaN新技术可使散热能力提高2倍以上

近期,大阪公立大学的研究团队成功利用金刚石为衬底,制作出了氮化镓(GaN)晶体管,其散热性能是使用碳化硅(SiC)衬底制造相同形状晶体管的两倍以上,有望应用于5G通信基站、气象雷达、卫星通信、微波加热、等离子体处理等领域,该研究成果已发表在“Small”杂志上。

随着半导体技术不断发展,功率密度和散热等问题日益凸显,业界试图通过新一代材料解决上述问题。X24esmc

据悉,金刚石具备极强的导热性能,氮化镓具有宽带隙和高导电性等特性,居于上述特性,以金刚石为衬底的氮化镓晶体管被寄予厚望。X24esmc

在最新研究中,大阪公立大学的科学家们成功地用金刚石作为衬底制造了GaN高电子迁移率晶体管。为了进一步提高金刚石的导热性,研究人员在GaN和金刚石之间加入了一层3C-SiC(立方碳化硅)层。这一技术显著降低了界面的热阻,从而提高了散热效率。X24esmc

责编:Echo
文章来源及版权属于全球半导体观察,国际电子商情仅作转载分享,对文中陈述、观点判断保持中立,不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。如有疑问,请联系Elaine.lin@aspencore.com
全球半导体观察
专注于半导体晶圆代工、IC设计、IC封测、DRAM、NAND Flash、SSD、移动装置、PC相关零组件等产业,致力于提供半导体产业资讯、行情报价、市场趋势、产业数据、研究报告等。
  • 微信扫一扫,一键转发

  • 关注“国际电子商情” 微信公众号

最新快讯

可能感兴趣的话题