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三星或已试产第二代3纳米芯片,力拼良率超过60%

韩媒《朝鲜日报》(Chosun)引述业界人士的话表示,三星已开始制造第二代3纳米制程(SF3)试制品,并测试芯片性能和可靠性,目标是6个月力拼良率超过60%。

台积电、三星都在积极争取客户,准备上半年量产第二代3纳米GAA架构制程,能否满足Nvidia、高通、AMD等大客户需求,同时迅速提高产量,是竞争中能否成功的关键。9AKesmc

三星正测试 SF3 试制芯片的性能和可靠性,首款产品将搭载即将推出的 Galaxy Watch 7 应用处理器(AP),预计用在 Galaxy S25 系列 Exynos 2500 芯片。9AKesmc

如果SF3产量和性能稳定,转向台积电的客户将有机会回流,例如三星就相当关注与高通的合作。后者在新一代 Snapdragon 8 Gen 3 中与台积电合作生产。此外,Nvidia H200、B100和AMD MI300X预计也将采台积电3纳米制程。9AKesmc

三星去年11月宣布,将于2024下半年量产SF3制程,虽然《朝鲜日报》报道未获三星回复,但从时间看推测相当合理。不过,报道提到芯片良率 60%,但没提到晶体管数量、芯片尺寸、性能、功耗及其他规格。9AKesmc

此外,智能手表应用处理器、手机芯片和数据中心处理器的芯片尺寸、性能和功耗目标完全不同。小型芯片如果良率只有 60%,要商用相当困难,但若是光罩尺寸(reticle size)的芯片良率为 60%,就相当合理。9AKesmc

责编:Elaine
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