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事关存储器,华为公布新专利

国际电子商情11日讯 据国家知识产权局信息显示,华为技术有限公司于4月9日申请公布一项名为“存储器、电子设备”的专利,公布号为CN117858494A。

国家知识产权局信息显示,华为技术有限公司于4月9日申请公布一项名为“存储器、电子设备”的专利,公布号为CN117858494A。F34esmc

静态随机存储器(SRAM)是一种基于触发器逻辑电路的半导体存储器。只要处于上电状态,SRAM中写入的信息就不会消失,不需要刷新电路。传统的硅(Si)基SRAM包括6个金属氧化物半导体场效应品体管。F34esmc

在计算机存储体系结构中,SRAM的存储速度较快,主要用于高速缓存,一般集成在中央处理器(CPU)中。随着计算机性能的不断提升,SRAM作为数据交换的重要媒介,在CPU中所占的面积越来越大,导致功耗、性能、面积和成本发生严重的退化。F34esmc

为此,学界和业界都提出利用3D堆叠的方式,在不断改进芯片工艺的同时,提高芯片的面积利用率。SRAM相对于其他逻辑计算单元,是一个相对独立的模块,利用后道工艺或叠层工艺更容易将SRAM与逻辑器件进行3D集成。F34esmc

然而,对于传统的硅基SRAM来说,采用BEOL工艺或看层工艺的实现3D集成的难度非常大,对工艺温度的要求也很高。虽然,氧化物半导体具有可堆叠和低温工艺的优势,但氧化物半导体为单极性沟道材料,应用于SRAM中,会使SRAM的电路设计更加复杂,导致SRAM内的器件(例如晶体管)以及器件间连接走线占用的面积随之增大。F34esmc

专利摘要显示,华为本次申请实施例提供一种存储器、电子设备,涉及存储器技术领域,用于在实现单极性存储器的同时,提高存储器的面积利用率。该存储器包括第一电路结构层、第二电路结构层和多个互连结构。F34esmc

第一电路结构层包括第一反相器。第二电路结构层包括第二反相器。第一反相器的多个品体管和第二反相器的多个品体管极性相同。第反相器的多个品体管,及第二反相器的多个品体管均沿平行于参考面的第一方向依次排列。第一反相器的多个品体管在参考面上的正投影与第反相器的多个品体管在参考面上正投影交叠:且第一反相器和第二反相器通过多个互连结构电连接。上述存储器应用于电子设备中,以提高电子设备的存储能力。F34esmc

责编:Elaine
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