向右滑动:上一篇 向左滑动:下一篇 我知道了
广告

制造400层3DNAND,存储大厂将引入低温蚀刻技术

据日本媒体报道,存储器大厂铠侠近日宣布,将从其第10代NAND产品开始,在制程中引入低温蚀刻这一前沿技术,以进一步提升生产效率,并追赶全球领先的竞争对手。

报道称,铠侠计划于2026年量产第10代NAND,并决定采用低温蚀刻技术。该技术允许在更低温的环境下进行蚀刻,从而使存储器的存储单元间的存储通孔(memory hole)以更快的速度形成。PQDesmc

而这种效率的提升不仅可以减少生产时间,还能大幅提高单位时间的生产量。相比传统的电浆蚀刻法,低温蚀刻的加工速度提升了约4倍,标志着存储技术的一次重要革新。PQDesmc

2023年6月,Tokyo Electron成功开发出一种用于存储芯片的通孔蚀刻技术。该设备可用于制造400层以上堆叠的3D NAND闪存芯片。TEL当时表示,该技术首次将电蚀刻应用带入到低温范围中,产生了具有极高蚀刻速率的系统。这项创新技术可在短短33分钟内实现10μm深的高纵横比(晶圆上形成的图案的深度与宽度之比)蚀刻。PQDesmc

目前,市场传出存储厂商都将采用低温蚀刻设备。其中,三星电子正在通过进口该设备的演示版本来评估相同的技术,而这些测试的结果将决定半导体制造中低温蚀刻技术的未来采用和潜在的标准化。PQDesmc

责编:Elaine
文章来源及版权属于全球半导体观察,国际电子商情仅作转载分享,对文中陈述、观点判断保持中立,不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。如有疑问,请联系Elaine.lin@aspencore.com
全球半导体观察
专注于半导体晶圆代工、IC设计、IC封测、DRAM、NAND Flash、SSD、移动装置、PC相关零组件等产业,致力于提供半导体产业资讯、行情报价、市场趋势、产业数据、研究报告等。
  • 微信扫一扫,一键转发

  • 关注“国际电子商情” 微信公众号

最新快讯

可能感兴趣的话题