国际电子商情21日讯 据外媒消息,韩国存储大厂SK海力士在ISSCC上展示了其最新300层堆叠第八代3D NAND Flash快闪存储器原型。
SK海力士表示,新3D NAND Flash快闪存储器预定两年内上市,有望打破纪录。zonesmc
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据tomshardware报道,SK海力士揭示有更快资料传输量和更高储存等级的第八代3D NAND Flash开发,提供1TB(128GB)容量,20Gb/mm2单位容量、16KB单页容量、四个平面和2,400MT/s的介面。最大资料传输量达194MB/s,较上一代238层堆叠和164MB/s传输速率的第七代3D NAND Flash高18%。更快输入和输出速度,有助PCIe 5.0×4或更高介面利用率。zonesmc
SK海力士研发团队称,第八代3D NAND Flash采用5项新技术。zonesmc
首先,三重验证程式(TPGM)功能可缩小单元阈值电压分布,并将tPROG(编程时间)减少10%,转化成更高性能。zonesmc
其次,采用Adaptive Unselected String Pre-Charge(AUSP)技术,再将tPROG降低约2%。zonesmc
第三,APR方案可将读取时间降低约2%,并缩短字线上升时间。zonesmc
第四,编程虚拟串(PDS)技术可藉由降低通道电容负载缩短tPROG和tR的界线稳定时间。zonesmc
最后,平面级读取重试(PLRR)功能,允许不终止其他平面下,更改平面的读取等级,立即发出后续读取命令,提高服务质量(QoS),提高读取性能。zonesmc
据悉,由于新产品还在开发,SK海力士并未透露计划何时开始量产其第8代3D NAND产品。但有分析认为,考虑到几乎所有闪存制造商都倾向于放慢采用更新制造节点以限制NAND 位输出的速度,预计该公司的新3D NAND设备将在2024年至2025年的某个时间推出,原因是该公司已经披露了有关该技术的详细信息,可以推测SK海力士的新产品开发已经完成或接近完成。300层NANDFlash,预计最快2024年问世zonesmc
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