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台积电2022年出货增7.7%,计划2025年进入2nm量产

N2 将使用纳米片晶体管,最初将在台湾的新竹和台南市生产。

尽管半导体行业从 2022 年底开始放缓,但台积电的晶圆出货量仍实现增长。该公司去年出货了 1530 万片 12 英寸等效晶圆,年增长率为 7.7%。此外,代表先进芯片制造技术(7 纳米以下)的晶圆比例占总组合的 53%,而 2021 年占总晶圆出货量的 50%。j0Gesmc

总体而言,台积电的出货量占全球所有非内存半导体产品的近三分之一,即30%,其份额增加了4%。j0Gesmc

转向 2 纳米或 N2,台积电表示计划明年进入该技术的风险生产,并在 2025 年转向量产。最初将在台湾的新竹和台南市生产。j0Gesmc

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深入研究 N2 的性能,台积电表示,新芯片将在类似于 N3E 工艺的功率水平下提供高达 15% 的性能提升。N3E 是台积电 3 纳米节点的高级变体,该公司计划在今年下半年开始量产该技术。以与 N3E 相似的速度,N2 将提供高达 30% 的功耗改进 - 这一指标无疑将吸引台积电最大的 Apple MacBook 系列处理器客户。j0Gesmc

2nm的竞争格局

台积电表示,N2 将使用纳米片晶体管,最初将在台湾的新竹和台南市生产。j0Gesmc

台积电的竞争对手三星代工厂认为,向纳米片的转变将给该公司带来重大的技术限制,这可能会限制其成功提高产量的能力。j0Gesmc

5月4日在KAIST(韩国科学技术院),三星设备解决方案部门总裁 Kye Hyun Kyung承认三星的代工技术“落后于台积电”。他解释说,三星的 4nm 技术比台积电落后大约两年,而其 3nm 工艺则比台积电落后大约一年。j0Gesmc

不过他补充认为,由于三星已经开始使用 GAAFET(或纳米片)制造芯片,他的该公司比台积电有优势,可以使其在五年内赶上TSMC。j0Gesmc

三星可能在未来五年内跑赢台积电的想法,源于三星打算从 3nm 制造工艺开始使用 Gate All Around(GAA)技术。相比之下,台积电在3nm制程仍使用FinFET技术,要到2nm才会采用GAA技术,三星则是在3纳米就已经使用GAA技术,但整体良率(合格率)不如台积电,因此无法顺利弯道超车。j0Gesmc

责编:Echo
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